原文传递
基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片
| 专利名称： | 基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片，该芯片上层由周期性排布的纳米介质柱簇构成，下层为介质基底；周期性排布的纳米介质柱簇中，每个周期单元形状为相同尺寸的正方形或者正六边形；每个周期单元中包含四个相同尺寸的纳米介质柱，这四个纳米介质柱的中心构成正方形。本实用新型同时从增强激发光局域场、提高辐射量子效率和提高荧光收集效率三个方面增强荧光信号，大大提高了荧光标记物检测灵敏度。整个芯片设置在低折射率基底上，其具有低材料损耗、制备简单，且可以改变结构尺寸工作在不同波段内的优势。 |
| 专利类型： | 实用新型 |
| 国家地区组织代码： | 浙江;33 |
| 申请人： | 浙江大学 |
| 发明人： | 何赛灵;龚晨晟 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2018-12-17T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-11-05T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201822118146.2 |
| 公开号： | CN209589843U |
| 代理机构： | 杭州求是专利事务所有限公司 |
| 代理人： | 刘静;邱启旺 |
| 分类号： | G01N21/64(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 |
| 主权项： | 1.一种基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片，其特征在于，芯片分为两层，上层由周期性排布的纳米介质柱簇构成，下层为介质基底；在芯片表面涂敷有通过荧光标记物标记的待测物质；所述周期性排布的纳米介质柱簇中，每个周期单元形状为相同尺寸的正方形或者正六边形；每个周期单元中包含四个相同尺寸的纳米介质柱，这四个纳米介质柱的中心构成正方形。 2.如权利要求1所述的一种基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片，其特征在于，所述纳米介质柱簇的材料为硅、二氧化钛或锗。 3.如权利要求1所述的一种基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片，其特征在于，所述介质基底的材料为二氧化硅或苯并环丁烯。 4.如权利要求1所述的一种基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片，其特征在于，每个周期单元形状为相同尺寸的正方形或者正六边形，其边长为520nm；每个周期单元的四个纳米介质柱的中心构成的正方形的边长为200nm；纳米介质柱的半径为68nm，纳米介质柱的高度为270nm。 |
| 所属类别： | 实用新型 |
检索历史
应用推荐
