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原文传递用于检测空气质量的设备

专利名称：	用于检测空气质量的设备
摘要：	本公开涉及一种用于检测空气质量的设备。本公开涉及一种包括多个气体传感器的气体传感器设备。气体传感器中的每一个包括半导体金属氧化物(SMO)膜、加热器和温度传感器。SMO膜中的每一个被设计为对不同的气体浓度范围敏感。结果，气体传感器设备能够获得针对大范围的气体浓度水平的准确读数。另外，气体传感器基于由气体传感器设备检测到的当前气体浓度被选择性地激活和去激活。因此，气体传感器设备能够节省电力，因为气体传感器在适当的时候被打开而不是持续地被打开。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	新加坡;SG
申请人：	意法半导体有限公司
发明人：	M·布拉赫姆;H·玛杰里;O·勒内尔;R·山卡尔
专利状态：	有效
申请日期：	2018-12-24T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-15T00:00:00+0800
申请号：	CN201822172070.1
公开号：	CN209640276U
代理机构：	北京市金杜律师事务所
代理人：	王茂华
分类号：	G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	新加坡城
主权项：	1.一种用于检测空气质量的设备，其特征在于，包括：衬底；所述衬底上的第一气体传感器，所述第一气体传感器包括第一半导体金属氧化物膜，所述第一半导体金属氧化物膜具有第一表面积；以及所述衬底上的第二气体传感器，所述第二气体传感器包括第二半导体金属氧化物膜，所述第二半导体金属氧化物膜具有大于所述第一表面积的第二表面积。 2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括处理器，所述处理器被配置为激活和去激活所述第一气体传感器和所述第二气体传感器。 3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，其中所述处理器被配置为响应于由所述第一气体传感器对具有大于第一阈值的浓度的气体的检测来激活所述第二气体传感器。 4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括：所述衬底上的第三气体传感器，所述第三气体传感器包括第三半导体金属氧化物膜，所述第三半导体金属氧化物膜具有大于所述第二表面积的第三表面积。 5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，其中所述第三半导体金属氧化物膜包括被彼此间隔开的第一部分、第二部分和第三部分。 6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，其中所述第一气体传感器包括第一加热器，所述第一加热器被配置为加热所述第一半导体金属氧化物膜，并且所述第二气体传感器包括第二加热器，所述第二加热器被配置为加热所述第二半导体金属氧化物膜。 7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，其中所述第一气体传感器包括第一温度传感器，并且所述第二气体传感器包括第二温度传感器。 8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，其中所述第二半导体金属氧化物膜包括第一部分和与所述第一部分被间隔开的第二部分。 9.一种用于检测空气质量的设备，其特征在于，包括：衬底；所述衬底上的第一加热器；所述第一加热器上的第一半导体金属氧化物膜，所述第一半导体金属氧化物膜具有第一表面积；所述衬底上的第二加热器；以及所述第二加热器上的第二半导体金属氧化物膜；所述第二半导体金属氧化物膜具有大于所述第一表面积的第二表面积。 10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，进一步包括：第一腔，所述第一加热器和所述第一半导体金属氧化物膜在所述第一腔之上；以及第二腔，所述第二加热器和所述第二半导体金属氧化物膜在所述第二腔之上。 11.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，进一步包括：所述衬底上的第三加热器；以及所述第三加热器上的第三半导体金属氧化物膜，所述第三半导体金属氧化物膜具有大于所述第二表面积的第三表面积。 12.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，进一步包括处理器，所述处理器被配置为响应于由第一气体传感器对具有大于第一阈值的浓度的气体的检测来激活第二气体传感器。 13.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，进一步包括：所述衬底上的第一温度传感器，与所述第一半导体金属氧化物膜对齐；以及所述衬底上的第二温度传感器，与所述第二半导体金属氧化物膜对齐。 14.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，其中所述第二半导体金属氧化物膜包括第一部分和与所述第一部分被间隔开的第二部分。
所属类别：	实用新型