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原文传递一种量子点功能化金属有机框架结构检测N-端脑钠肽前体的电化学发光传感器的制备方法

专利名称：	一种量子点功能化金属有机框架结构检测N-端脑钠肽前体的电化学发光传感器的制备方法
摘要：	本发明涉及一种量子点功能化金属有机框架结构检测N‑端脑钠肽前体的电化学发光传感器的制备方法，属于电化学发光传感器领域。本发明以锰掺杂的锌银铟硫量子点作为电化学发光体，以具有较大孔径的UiO‑66‑NH2作为量子点的载体，以雪花状硫化亚铜‑二硫化钼作为共反应剂过硫酸钾的共反应促进剂，采用共反应促进剂型信号放大策略，构建了信号增强型ECL传感器，实现了在1 fg·mL‑1~100 ng·mL‑1线性范围内对N‑端脑钠肽前体的灵敏检测，检测限为0.41 fg·mL‑1。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	山东;37
申请人：	济南大学
发明人：	魏琴;王超;陈钰;张诺;吴丹;魏东;马洪敏;鞠熀先
专利状态：	有效
申请日期：	2019-08-01T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-15T00:00:00+0800
申请号：	CN201910706333.9
公开号：	CN110456071A
代理机构：	济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业)
代理人：	赵凤
分类号：	G01N33/68(2006.01);G;G01;G01N;G01N33
申请人地址：	250022山东省济南市市中区南辛庄西路336号
主权项：	1.一种量子点功能化金属有机框架结构检测N-端脑钠肽前体的电化学发光传感器的制备方法，其特征在于，电化学发光免疫传感器的制备包括以下步骤：（1）将直径为4 mm的玻碳电极用0.05 μm氧化铝粉打磨抛光至镜面，再用超纯水洗涤干净；（2）将4~8 µL雪花状硫化亚铜-二硫化钼硫化物与金纳米粒子的复合物滴涂到电极表面，室温保存至干燥；（3）继续滴涂6 μL、浓度为10 μg·mL-1的N-端脑钠肽前体捕获抗体标准溶液于玻碳电极表面，4 ºC冰箱中保存至干燥，超纯水清洗；（4）继续滴涂3 μL、质量分数为1%的牛血清白蛋白溶液来封闭非特异性活性位点，4 ºC冰箱中保存至干燥，超纯水清洗；（5）继续将6 μL、浓度为1 fg·mL-1～100 ng·mL-1的一系列不同浓度的N-端脑钠肽前体抗原标准溶液滴涂在电极表面，4 ºC冰箱中保存至干燥，超纯水清洗；（6）将5~10 μL所制得的锰掺杂量子点功能化金属有机框架结构与N-端脑钠肽前体检测抗体的复合物MnZnAgInS/ZnS@UiO-66-NH2-Ab2滴涂到电极表面，4 ºC冰箱中保存至干燥，超纯水清洗，即制得检测N-端脑钠肽前体的电化学发光免疫传感器。 2.如权利要求1所述的一种量子点功能化金属有机框架结构检测N-端脑钠肽前体的电化学发光传感器的制备方法，所述雪花状硫化亚铜-二硫化钼硫化物与金纳米粒子的复合物，其特征在于，制备步骤如下：（1）制备雪花状硫化亚铜-二硫化钼硫化物将0.1～0.3 mmol氯化铜超声溶解于30 mL乙二胺中，然后加入3～6 mmol硫脲，搅拌2小时后转移至反应釜中，60～80 ºC反应8小时，离心后，将沉淀用无水乙醇洗涤三次后置于真空干燥箱中，60 ºC干燥后得到雪花状硫化亚铜；将6～18 mg钼酸钠和12～84 mg硫脲溶于20 mL水中形成透明溶液，然后加入50 mg所制得的雪花状硫化亚铜，分散均匀后将溶液转移至反应釜中，200 ºC反应24小时，离心后，将沉淀用无水乙醇洗涤三次后置于真空干燥箱中，60 ºC干燥后得到雪花状硫化亚铜-二硫化钼硫化物；（2）制备雪花状硫化亚铜-二硫化钼硫化物与金纳米粒子的复合物将10 mg雪花状硫化亚铜-二硫化钼硫化物与5 mL金纳米粒子溶液混合，振荡12小时后离心，得到雪花状硫化亚铜-二硫化钼硫化物与金纳米粒子的复合物。 3.如权利要求1所述的一种量子点功能化金属有机框架结构检测N-端脑钠肽前体的电化学发光传感器的制备方法，所述锰掺杂量子点功能化金属有机框架结构与N-端脑钠肽前体检测抗体的复合物，其特征在于，制备步骤如下：（1）制备锰掺杂量子点MnZnAgInS/ZnS 硝酸银、0.2 mmol硝酸铟、0.2 mmol乙酸锌和0.0125~0.0500 mmol乙酸锰溶于10 mL水中，搅拌5分钟后加入2 mL、0.6 mol·L-1的半胱氨酸溶液，然后用6 mol·L-1的NaOH溶液调节pH至8.5，加入6.5 mL、0.05 mol·L-1的硫代乙酰胺，将该溶液转移至反应釜中，110 ºC反应4小时，离心后，将沉淀用无水乙醇洗涤三次后分散到10 mL水中，得到MnZnAgInS溶液；为制得核壳MnZnAgInS/ZnS量子点，将10 mL MnZnAgInS溶液置于三口烧瓶中，油浴加热到100ºC，然后加入200 μL、0.05 mol·L-1乙酸锌，回流搅拌2小时后离心，将沉淀分散到10 mL水中；（2）制备金属有机框架结构UiO-66-NH2 氨基对苯二甲酸、0.120 g氯化锆和4 mL冰乙酸分散到32 mL N，N-二甲基甲酰胺中，搅拌30分钟后转移到反应釜中，120 ºC反应12～24小时，离心后将沉淀分散到乙醇中搅拌48小时以交换溶剂N，N-二甲基甲酰胺，再次离心后置于真空干燥箱中干燥；为扩大UiO-66-NH2的孔径，将干燥得到的粉末置于管式炉中，200～300 ºC反应6小时得到具有较大孔径的UiO-66-NH2；（3）制备锰掺杂量子点功能化金属有机框架结构与N-端脑钠肽前体检测抗体的复合物将10 mg UiO-66-NH2与10 mL MnZnAgInS/ZnS混合，室温下搅拌8小时，离心后分散到2mL pH为7.4的磷酸盐缓冲溶液中，加入1 mL、10 μg·mL-1的N-端脑钠肽前体检测抗体混合，4 ºC下孵化12小时得到MnZnAgInS/ZnS@UiO-66-NH2-Ab2复合物。 4.如权利要求2所述的金纳米粒子溶液，是将1 mL、质量分数为1%的氯金酸溶液稀释到100 mL超纯水中，加入2.5 mL、质量分数为1%的柠檬酸三钠搅拌至沸腾后制得的。 5.如权利要求1所述的1 fg·mL-1～100 ng·mL-1的一系列不同浓度的N-端脑钠肽前体抗原标准溶液为从上海领潮生物科技有限公司购得的1 mg·mL-1的N-端脑钠肽前体溶液用磷酸盐缓冲溶液稀释得到。 6.如权利要求1所述的N-端脑钠肽前体的检测，其特征在于，检测步骤如下：（1）将Ag/AgCl电极作为参比电极、铂丝电极作为对电极、所制得的电化学发光传感器作为工作电极，连接在化学发光检测仪的暗盒中，将电化学工作站和化学发光检测仪连接在一起；（2）化学发光检测仪参数设置为，光电倍增管的高压设置为600～800 V，扫描速率设置为0.1 V/s；（3）电化学工作站参数设置为，循环伏安扫描电位范围为-1.7 V～0 V，扫描速率设置为0.1 V/s；（4）以含有0.1 mol·L-1的K2S2O8的10 mL磷酸盐缓冲溶液作为共反应剂，通过电化学发光法检测不同浓度的N-端脑钠肽前体产生的电化学发光信号强度；所述磷酸盐缓冲溶液，其pH为7.4，用0.1 mol·L-1磷酸氢二钠和0.1 mol·L-1磷酸二氢钾配制；（5）根据所得的电化学发光强度值与N-端脑钠肽前体抗体浓度对数的线性关系，绘制工作曲线。
所属类别：	发明专利