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原文传递具有自检测功能的半导体装置

专利名称：	具有自检测功能的半导体装置
摘要：	本发明提供了一种具有自检测功能的半导体装置,属于半导体装置技术领域，其包括设置在基板上的壳体、设置在壳体内的激光发射器以及设置在壳体上的盖体；盖体设置在壳体的开口处，包括微透镜阵列及透光层；透光层设置有至少一层导电层，且透光层出现划痕时，导电层的电阻值增大；导电层与检测电路连通，检测电路中设置有用于检测导电层的电阻阻值变化的检测单元。本发明提供的具有自检测功能的半导体装置，当盖体出现划痕及破损失时，导电层的电阻逐渐增大，根据此特性通过检测导电层的电阻变化以检测盖体是否出现破损，可提升盖体破损检测的准确性。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	中国台湾;71
申请人：	亿光电子工业股份有限公司
发明人：	张兆宏;李致纬;许晋嘉;梁俊智;何志铭;蔡瑜津;李玮恩;蓝哲维
专利状态：	有效
申请日期：	2019-05-07T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-15T00:00:00+0800
申请号：	CN201910376525.8
公开号：	CN110455876A
代理机构：	北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人：	吴志红;臧建明
分类号：	G01N27/20(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	中国台湾新北市树林区中华路6之8号
主权项：	1.一种具有自检测功能的半导体装置，其特征在于，包括设置在基板上的壳体、设置在所述壳体内的激光发射器以及设置在壳体上的盖体；所述盖体设置在所述壳体的开口处，包括微透镜阵列及透光层；以及所述透光层设置有至少一层导电层，且所述透光层出现划痕时，所述导电层的电阻值增大；所述导电层与检测电路连通，所述检测电路中设置有用于检测所述导电层的电阻阻值变化的检测单元。 2.根据权利要求1所述的具有自检测功能的半导体装置，其特征在于，所述检测电路还包括定值电阻、第一导电体及第二导电体；所述检测单元与所述导电层并联，所述定值电阻、所述第一导电体及所述第二导电体与所述导电层串联；所述第一导电体的一端与供电模块的第一电极电性连接，另一端与所述导电层的一端电性连接；以及所述第二导电体的一端与供电模块的第二电极电性连接，另一端与所述导电层的另一端电性连接。 3.根据权利要求2所述的具有自检测功能的半导体装置，其特征在于，所述第一导电体和第二导电体均设置在所述壳体的外表面。 4.根据权利要求2所述的具有自检测功能的半导体装置，其特征在于，所述第一导电体和第二导电体均设置在所述壳体的内表面。 5.根据权利要求2所述的具有自检测功能的半导体装置，其特征在于，所述壳体为双层结构，其包括第一隔离层及第二隔离层；以及所述第一导电体、第二导电体均设置在所述第一隔离层及所述第二隔离层之间。 6.根据权利要求2至5任一项所述的具有自检测功能的半导体装置，其特征在于，所述第一导电体及所述第二导电体均呈柱状结构或者层状结构。 7.根据权利要求6所述的具有自检测功能的半导体装置，其特征在于，所述检测单元布置在所述壳体外。 8.根据权利要求6所述的具有自检测功能的半导体装置，其特征在于，所述检测单元布置在所述基板上，且所述检测单元位于壳体内。 9.根据权利要求6所述的具有自检测功能的半导体装置，其特征在于，所述第一导电体及所述第二导电体的两端设置有具有导电性能的粘接部。 10.根据权利要求1所述的具有自检测功能的半导体装置，其特征在于，所述透光层的两侧分别设置有一层导电层。
所属类别：	发明专利