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原文传递一种PH值检测装置及其制备方法、PH值检测方法

专利名称：	一种PH值检测装置及其制备方法、PH值检测方法
摘要：	本发明实施例公开了一种PH值检测装置及其制备方法、PH值检测方法，PH值检测装置包括衬底以及位于衬底一侧的多个PH传感器；多个PH传感器至少包括多个第一类PH传感器和多个第二类PH传感器，其中，第一类PH传感器和第二类PH传感器具备不同的PH值检测灵敏度。采用上述技术方案，通过设置PH值检测装置至少包括PH值检测灵敏度不同的第一类PH传感器和第二类PH传感器，分别通过第一类PH传感器和第二类PH传感器获得基于待测溶液的不同的检测信号，根据多个不同的检测信号确定PH值检测装置的最终检测信号，根据最终检测信号确定待测溶液的PH值，PH值检测准确性和灵敏度较高，且本发明实施例提供的PH值检测装置区别于传统的电极检测装置，体积小、稳定性高。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	张家港万众一芯生物科技有限公司
发明人：	张志峰;张韬
专利状态：	有效
申请日期：	2019-09-23T00:00:00+0800
发布日期：	2019-12-27T00:00:00+0800
申请号：	CN201910900509.4
公开号：	CN110618167A
代理机构：	北京品源专利代理有限公司
代理人：	孟金喆
分类号：	G01N27/00(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村
主权项：	1.一种PH值检测装置，包括衬底以及位于所述衬底一侧的多个PH传感器；多个所述PH传感器至少包括多个第一类PH传感器和多个第二类PH传感器，其中，所述第一类PH传感器和所述第二类PH传感器具备不同的PH值检测灵敏度。 2.根据权利要求1所述的PH值检测装置，其特征在于，多个所述第一类PH传感器在所述衬底一侧阵列排布，多个所述第二类PH传感器在所述衬底一侧阵列排布；所述第一类PH传感器与所述第二类PH传感器依次间隔循环排布；或者，多个所述第一类PH传感器依次间隔排布，多个所述第二类PH传感器依次间隔排布。 3.根据权利要求1所述的PH值检测装置，其特征在于，所述第一类PH传感器和所述第二类PH传感器均为互补金属氧化物半导体传感器；所述第一类PH传感器包括：位于所述衬底一侧的第一源极、第一栅极和第一漏极，所述第一栅极对应所述第一源极和所述第一漏极之间的第一沟道区；位于所述第一栅极远离所述衬底一侧的多层第一导电层，所述第一导电层与所述第一栅极之间以及相邻两层所述第一导电层之间设置有第一绝缘层；位于远离所述衬底一侧的所述第一导电层上的第一PH值检测层；所述第二类PH传感器包括：位于所述衬底一侧的第二源极、第二栅极和第二漏极，所述第二栅极对应所述第二源极和所述第二漏极之间的第二沟道区；位于所述第二栅极远离所述衬底一侧的多层第二导电层，所述第二导电层与所述第二栅极之间以及相邻两层所述第二导电层之间设置有第二绝缘层；位于远离所述衬底一侧的所述第二导电层上的第一PH值检测层；位于所述第一PH值检测层上的第二PH值检测层。 4.根据权利要求3所述的PH值检测装置，其特征在于，所述第一PH值检测层包括惰性金属层，所述第二PH值检测层包括PH敏感膜。 5.根据权利要求3所述的PH值检测装置，其特征在于，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极同层设置；所述第一栅极和所述第二栅极同层设置；所述第一导电层和所述第二导电层同层设置；所述第一绝缘层和所述第二绝缘层同层设置。 6.根据权利要求3所述的PH值检测装置，其特征在于，至少部分所述第一绝缘层中形成有第一通孔，相邻两层所述第一导电层通过所述第一通孔电连接；至少部分所述第二绝缘层中形成有第二通孔，相邻两层所述第二导电层通过所述第二通孔电连接。 7.根据权利要求1所述的PH值检测装置，其特征在于，所述PH值检测装置还包括检测电路；所述检测电路分别与所述第一类PH传感器和第二类PH传感器连接，用于读取所述第一类PH传感器的第一PH检测信号以及所述第二类PH传感器的第二PH检测信号。 8.根据权利要求1所述的PH值检测装置，其特征在于，所述PH值检测装置的PH检测范围为6.5-11。 9.一种PH值检测装置的制备方法，用于制备权利要求1-8任一项所述的PH值检测装置，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底一侧制备多个PH传感器，多个所述PH传感器至少包括多个第一类PH传感器和多个第二类PH传感器，其中，所述第一类PH传感器和所述第二类PH传感器具备不同的PH值检测灵敏度。 10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一类PH传感器和所述第二类PH传感器均为互补金属氧化物半导体传感器；在所述衬底一侧制备多个PH传感器，多个所述PH传感器至少包括多个第一类PH传感器和多个第二类PH传感器，包括：按照互补金属氧化物半导体结构的制备工艺在所述衬底的一侧制备多个互补金属氧化物半导体结构；在多个所述互补金属氧化物半导体结构远离所述衬底的一侧制备第一PH值检测层；在部分所述第一PH值检测层远离所述衬底的一侧制备第二PH值检测层，得到暴露所述第一PH值检测层的第一类PH传感器以及暴露所述第二PH值检测层的第二类PH传感器。 11.一种PH值检测方法，采用权利要求1-8任一项所述的PH值检测装置，其特征在于，包括：将待测溶液注入所述PH值检测装置中；基于外围检测电路获取所述PH值检测装置的检测信号，所述检测信号至少包括所述第一类PH传感器的第一PH检测信号和所述第二类PH传感器的第二PH检测信号；根据所述检测信号确定所述待测溶液的PH值。 12.根据权利要求11所述的PH值检测方法，其特征在于，根据所述检测信号确定所述待测溶液的PH值，包括：根据所述第一PH检测信号和所述第二PH检测信号确定所述检测信号的均值差和/或峰值差；根据所述检测信号的均值差和/或峰值差，通过查表或者带入拟合公式的方法，确定所述待测溶液的PH值。
所属类别：	发明专利