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原文传递晶硅边皮料的切割方法

专利名称：	晶硅边皮料的切割方法
摘要：	本发明公开了一种晶硅边皮料的切割方法，其能将单晶硅边皮料或多晶硅边皮料切割成长方体状硅块，还能将长方体状硅块进一步切割成硅片，进而增加硅片的产出，降低硅片生产的能耗和成本。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	常州时创能源科技有限公司
发明人：	孟祥熙;曹育红;符黎明
专利状态：	有效
申请日期：	2019-11-01T00:00:00+0800
发布日期：	2019-12-31T00:00:00+0800
申请号：	CN201911059306.3
公开号：	CN110625834A
分类号：	B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号
主权项：	1.晶硅边皮料的切割方法，所述边皮料为单晶硅边皮料或多晶硅边皮料；所述边皮料包括：矩形底面，分设于底面两端的一对端面，以及位于该对端面之间的顶面；所述边皮料的底面包括两对边线：作为底面一对对边的第一对边线，以及作为底面另一对对边的第二对边线；所述边皮料的一对端面与底面垂直，该对端面与底面的第一对边线一一对应，且端面以对应的底面边线为其底边；其特征在于：所述切割方法包括：将边皮料切割成长方体状硅块；所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割和/或侧部切割；所述顶部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；所述侧部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的一侧或两侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直；且边皮料经过顶部切割和/或侧部切割后成为长方体状硅块。 2.根据权利要求1所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述边皮料的顶面为弧面，且顶面由第二对边线中的一个延伸至第二对边线中的另一个；边皮料的外表面由底面、一对端面以及弧面状顶面围成；所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割和侧部切割；所述顶部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；所述侧部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的两侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直，该边皮料的两侧为底面与弧面状顶面相交的两侧；且边皮料经过顶部切割和侧部切割后成为长方体状硅块。 3.根据权利要求1所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述边皮料还包括：位于一对端面之间、且与底面垂直的一个侧面；该侧面与第二对边线中的一个边线相对应，且侧面以对应的底面边线为其底边；该侧面还与一对端面垂直；边皮料的顶面为弧面，且顶面由第二对边线中的另一个边线延伸至侧面的顶边；边皮料的外表面由底面、一对端面、一个侧面以及弧面状顶面围成；所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割和侧部切割；所述顶部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；所述侧部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的一侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直，该边皮料的一侧为底面与弧面状顶面相交的一侧；且边皮料经过顶部切割和侧部切割后成为长方体状硅块。 4.根据权利要求1所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述边皮料还包括：位于一对端面之间、且与底面垂直的一对侧面；该对侧面与第二对边线一一对应，且侧面以对应的底面边线为其底边；该对侧面还与一对端面垂直；边皮料的顶面为弧面，且顶面由一个侧面的顶边延伸至另一个侧面的顶边；边皮料的外表面由底面、一对端面、一对侧面以及弧面状顶面围成；所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割；所述顶部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；且边皮料经过顶部切割后成为长方体状硅块。 5.根据权利要求1所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述边皮料的顶面与底面平行；该顶面在底面上的投影，位于第二对边线之间；边皮料还包括：位于一对端面之间、且分设于顶面两侧的一对侧面；该对侧面与第二对边线一一对应，且侧面以对应的底面边线为其底边；该对侧面为弧面，且侧面由对应的底面边线延伸至顶面；边皮料的外表面由底面、一对端面、顶面以及一对弧面状侧面围成；所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：侧部切割；所述侧部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的两侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直，该边皮料的两侧为底面与一对弧面状侧面相交的两侧；且边皮料经过侧部切割后成为长方体状硅块。 6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述边皮料由边皮料长段截断而得。 7.根据权利要求1至5中任一项所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述切割方法还包括：将长方体状硅块切割成硅片。 8.根据权利要求7所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述硅块的底面为长方形；所述将长方体状硅块切割成硅片，包括：沿硅块底面的宽度方向对硅块进行切片。 9.根据权利要求7所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述将长方体状硅块切割成硅片，包括：先将硅块截断成长方体状硅块小段，再将硅块小段切割成硅片。 10.根据权利要求9所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述硅块小段的底面为长方形；所述将硅块小段切割成硅片，包括：沿硅块小段底面的宽度方向对硅块小段进行切片。
所属类别：	发明专利