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原文传递 一种用于电子、通讯行业的超精密半导体材料
专利名称: 一种用于电子、通讯行业的超精密半导体材料
摘要: 本发明涉及一种用于电子、通讯行业的超精密半导体材料,该超精密半导体材料的制备过程包括如下步骤:(1)先利用切割设备将半导体材料切割出晶片;(2)将晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上;(3)在研磨机上研磨固定在支撑物上的晶片;(4)对固定在支撑物上的晶片进行抛光处理;(5)对抛光后的晶片进行表面清洗处理。本发明的超精密半导体材料具有较低的粗糙程度以及较高的加工质量,且能够避免晶片破损的风险,适于进行外延生长,可以广泛用于电子、通讯及能源等行业。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 山东;37
申请人: 山东虎力机械有限公司
发明人: 不公告发明人
专利状态: 有效
申请日期: 2019-02-18T00:00:00+0800
发布日期: 2019-05-03T00:00:00+0800
申请号: CN201910120295.9
公开号: CN109702910A
代理机构: 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
代理人: 肖月华
分类号: B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址: 250000 山东省济南市济阳区回河街道升降平台产业园南区1号
主权项: 1.一种用于电子、通讯行业的超精密半导体材料,其特征在于,所述超精密半导体材料的制备过程包括如下步骤: (1)先利用切割设备将半导体材料切割出厚度为100~200μm的晶片; (2)将晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上; (3)在研磨机上研磨固定在支撑物上的晶片; (4)对固定在支撑物上的晶片进行抛光处理; (5)对抛光后的晶片进行表面清洗处理。 2.根据权利要求1所述的超精密半导体材料,其特征在于,所述表面清洗处理包括依次使用去蜡清洗剂、丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗,然后采用冷风将样品吹干。 3.根据权利要求1所述的超精密半导体材料,其特征在于,所述抛光处理的基本参数如下:压力为300克/平方厘米,上盘转速60rpm/min,下盘转速140rpm/min,抛光液流速为70ml/min,温度为25℃,抛光时间为2小时。 4.根据权利要求1所述的超精密半导体材料,其特征在于,所述抛光处理的抛光液由以下组分组成:2wt%~4wt%的粒径为6nm~10nm氧化硅颗粒,20wt%~30wt%的粒径为30nm~80nm的氧化硅颗粒,6wt%~8wt%的粒径为120nm~140nm氧化硅颗粒,0.1wt%表面活性剂,1wt%的硫酸钠,氢氧化钠,余量为水,所述抛光液的pH为9.5~10.5。 5.根据权利要求4所述的超精密半导体材料,其特征在于,所述表面活性剂为丙烯酸-丙烯酸酯-磺酸盐共聚物与β-萘酚聚氧乙烯醚按质量比1:1复配构成。 6.根据权利要求1所述的超精密半导体材料,其特征在于,所述半导体材料为蓝宝石。 7.根据权利要求1所述的超精密半导体材料,其特征在于,所述支撑物为刚性的平板。
所属类别: 发明专利
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