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一种用于微量铜离子检测的光电化学传感器及其制作方法
| 专利名称： | 一种用于微量铜离子检测的光电化学传感器及其制作方法 |
| 摘要： | 本发明属于光电化学传感器领域，公开了一种用于微量铜离子检测的光电化学传感器及其制作方法，所述制作方法包括步骤：(1)将50mg HNbWO6或HNbMoO6分散于50‑100mL水中，加入5mL 25wt.％的四丁基氢氧化铵，在45℃下搅拌12‑24小时，离心得到HNbWO6或HNbMoO6纳米片溶胶；(2)将洁净的ITO导电玻璃片放置到聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)溶液中浸渍5‑25分钟后水洗；(3)将步骤(2)中得到的ITO/PDDA玻璃片放置到HNbWO6或HNbMoO6纳米片溶胶中浸渍5‑25分钟后水洗；(4)将步骤(3)中得到的玻璃片重复(2)和(3)的过程并循环重复0‑9次，干燥，400℃干燥2小时，即得光电化学传感器。本发明制作出的光电化学传感器能实现快速选择性检测溶液中微量铜离子并测定其中铜离子含量。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 安徽;34 |
| 申请人： | 安徽理工大学 |
| 发明人： | 胡丽芳;何杰;朱继超 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-01-24T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-05-03T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910082889.5 |
| 公开号： | CN109709171A |
| 分类号： | G01N27/26(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 232001 安徽省淮南市泰丰大街168号 |
| 主权项： | 1.一种光电化学传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)将50mg HNbWO6或HNbMoO6分散于50-100mL水中，加入5mL 25wt.％的四丁基氢氧化铵，在45℃下搅拌12-24小时，离心得到HNbWO6或HNbMoO6纳米片溶胶； (2)将洁净的ITO导电玻璃片放置到PDDA溶液中浸渍5-25分钟后水洗； (3)将步骤(2)中得到的ITO/PDDA玻璃片放置到HNbWO6或HNbMoO6纳米片溶胶中浸渍5-25分钟后水洗； (4)将步骤(3)中得到的玻璃片重复(2)和(3)的过程并循环重复0-9次，干燥，400℃干燥2小时，即得光电化学传感器。 2.一种光电化学传感器，其特征在于，所述光电化学传感器为按照权利要求1所述方法制作而得。 3.根据权利要求2所述的光电化学传感器在选择性检测溶液中微量铜离子并测定其中铜离子含量中的应用。 4.根据权利要求3所述的微量铜离子检测并测定其含量的应用，其特征在于，通过纳米薄膜材料与铜离子的能带匹配，提高电子和空穴的复合来实现。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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