专利名称: |
测量装置 |
摘要: |
本发明提供能够精度良好地多方面地测量测量对象的状态的测量装置。具备:第一电极以及第二电极,它们用于在表侧形成经由测量对象的通电路径并测量上述测量对象的导电度;以及参照电极以及ISFET,它们用于测量上述测量对象的pH值,上述参照电极的基准电极与上述第一电极以及上述第二电极相比配置在背侧。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
日本;JP |
申请人: |
拉碧斯半导体株式会社 |
发明人: |
冈田敦彦;鬼塚佳代子 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2018-10-26T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-05-07T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201811256548.7 |
公开号: |
CN109725024A |
代理机构: |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人: |
舒艳君;李洋 |
分类号: |
G01N27/02(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
日本神奈川县 |
主权项: |
1.一种测量装置,其特征在于,具备: 第一电极以及第二电极,它们用于在表侧形成经由测量对象的通电路径并测量上述测量对象的导电度;以及 参照电极以及ISFET,它们用于测量上述测量对象的pH值, 上述参照电极的基准电极与上述第一电极以及上述第二电极相比配置在背侧。 2.根据权利要求1所述的测量装置,其特征在于, 相对于通过壳体的顶点或者顶面并纵贯上述壳体的假想线,在与该假想线交叉的交叉方向的一方侧的第一面设置上述第一电极以及上述第二电极,并在上述交叉方向的另一方侧的第二面设置上述参照电极的上述基准电极。 3.根据权利要求2所述的测量装置,其特征在于, 在上述第一面设置上述ISFET。 4.根据权利要求3所述的测量装置,其特征在于, 上述ISFET的感应面与上述第一电极的顶面以及上述第二电极的顶面相比位于上述第一面侧。 5.根据权利要求1~4中任意一项所述的测量装置,其特征在于, 还具备获取单元,该获取单元对上述第一电极施加交流信号,并且测量经由上述测量对象输入到上述第二电极的交流信号的相位差来获取上述测量对象的导电度。 6.一种测量装置,其特征在于,具备: 第一电极,其具有与测量对象接触的表面,并输出交流信号; 第二电极,其具有与上述测量对象接触的表面,并输入从上述第一电极输出的上述交流信号作为输入信号;以及 参照电极,其与和上述第一电极的表面构成同一平面的第一假想面相比配置在上述第一电极的背面侧,并且与和上述第二电极的表面构成同一平面的第二假想面相比配置在上述第二电极的背面侧。 7.根据权利要求6所述的测量装置,其特征在于, 上述参照电极的基准电极与和上述第一电极的表面构成同一平面的第一假想面相比配置在上述第一电极的背面侧,并且与和上述第二电极的表面构成同一平面的第二假想面相比配置在上述第二电极的背面侧。 |
所属类别: |
发明专利 |