专利名称: |
基于MZ干涉倾斜光纤光栅测量变压器中氢气的传感器 |
摘要: |
本实用新型公开了一种基于MZ干涉倾斜光纤光栅测量变压器中氢气的传感器,由宽带光源,极化控制器,第一单模光纤,第一光纤错位熔接结构,第二单模光纤,倾斜光纤光栅,金薄膜,钯薄膜,疏水疏油涂层,第二光纤错位熔接结构,第三单模光纤,光纤光谱仪组成。宽带光源发出的入射光通过极化控制器极化为P偏振光进入倾斜光纤光栅时,绝大多数入射光被耦合为后向传输的包层模式。由于倾斜光纤光栅包层表面镀有50nm厚的金薄膜,当镀在金薄膜上的钯薄膜吸收氢气时,其体积发生剧烈膨胀,导致电介质层折射率发生改变,进而符合相位匹配条件的包层模式λcl发生变化,通过测量透射谱中透射峰发生的波长漂移,即可精确测量出氢气浓度。 |
专利类型: |
实用新型 |
国家地区组织代码: |
浙江;33 |
申请人: |
中国计量大学 |
发明人: |
肖亦可;沈常宇;宫佳琦 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2018-09-12T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-05-14T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201821493283.8 |
公开号: |
CN208860739U |
分类号: |
G01N21/41(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
申请人地址: |
310018 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号中国计量大学 |
主权项: |
1.基于MZ干涉倾斜光纤光栅测量变压器中氢气的传感器,其特征在于:由宽带光源(1),极化控制器(2),第一单模光纤(3),第一光纤错位熔接结构(4),第二单模光纤(5),倾斜光纤光栅(6),金薄膜(7),钯薄膜(8),疏水疏油涂层(9),第二光纤错位熔接结构(10),第三单模光纤(11),光纤光谱仪(12)组成;其中第二单模光纤(5)中间部分纤芯刻有倾斜光纤光栅(6),倾斜光纤光栅(6)栅区包层表面镀有一层金薄膜(7),金薄膜(7)表面再镀上一层钯薄膜(8),整个传感结构都涂覆有疏水疏油涂层(9);极化控制器(2)左端与宽带光源(1)连接,右端与第一单模光纤(3)左端连接,第一单模光纤(3)右端与第二单模光纤(5)左端纤芯错位3.5微米形成第一光纤错位熔接结构(4),第二单模光纤(5)右端与第三单模光纤(11)左端纤芯错位3.5微米形成第二光纤错位熔接结构(10),第三单模光纤(11)右端连接着光纤光谱仪(12)。 2.根据权利要求1所述的基于MZ干涉倾斜光纤光栅测量变压器中氢气的传感器,其特征在于:所述的倾斜光纤光栅(6)由单模光纤通过相位掩模法制作而成,长度为20mm,光栅周期为556.6nm。 3.根据权利要求1所述的基于MZ干涉倾斜光纤光栅测量变压器中氢气的传感器,其特征在于:所述的金薄膜(7)厚度为50nm,采用磁控溅射法镀在倾斜光纤光栅(6)栅区包层表面。 4.根据权利要求1所述的基于MZ干涉倾斜光纤光栅测量变压器中氢气的传感器,其特征在于:所述的钯薄膜(8)厚度为200um,采用磁控溅射法镀在金薄膜(7)表面。 5.根据权利要求1所述的基于MZ干涉倾斜光纤光栅测量变压器中氢气的传感器,其特征在于:所述的疏水疏油涂层(9)为氨基丙烯酸树脂、SiO2纳米粒子和氟硅烷复合制成的纳米材料,直接涂覆在传感结构上,避免绝缘油对传感器造成污染。 |
所属类别: |
实用新型 |