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原文传递一种硅块头尾部去除方法及去除装置

专利名称：	一种硅块头尾部去除方法及去除装置
摘要：	本发明提供了一种硅块头尾部去除方法，包括：扫描硅块，得到所述硅块四个侧面的少子寿命分布图；设定少子寿命阈值，根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置；根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置；根据所述硅块头部的切割位置和所述硅块尾部的切割位置对所述硅块头尾部进行切除。该方法操作简单、效率高，尽可能减少硅块损失，并有效去除硅块头尾部缺陷区域，使得去除后的硅块质量显著提高。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江西;36
申请人：	赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司
发明人：	雷琦;徐云飞;何亮;李建敏
专利状态：	有效
申请日期：	2019-03-12T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-17T00:00:00+0800
申请号：	CN201910183780.0
公开号：	CN109760219A
代理机构：	广州三环专利商标代理有限公司
代理人：	郝传鑫;熊永强
分类号：	B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	338004 江西省新余市高新技术产业园区
主权项：	1.一种硅块头尾部去除方法，其特征在于，包括：扫描硅块，得到所述硅块四个侧面的少子寿命分布图；设定少子寿命阈值，根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置；根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置；根据所述硅块头部的切割位置和所述硅块尾部的切割位置对所述硅块头尾部进行切除。 2.如权利要求1所述的硅块头尾部去除方法，其特征在于，所述根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置，包括：将每个所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部的区域内，少子寿命低于所述少子寿命阈值，且距离所述少子寿命分布图对应所述硅块头部边缘最远的位置作为所述第一预设切割位置；以及将每个所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部的区域内，少子寿命低于所述少子寿命阈值，且距离所述少子寿命分布图对应所述硅块尾部边缘最远的位置作为所述第二预设切割位置。 3.如权利要求1所述的硅块头尾部去除方法，其特征在于，所述少子寿命阈值为1μs-4μs。 4.如权利要求1所述的硅块头尾部去除方法，其特征在于，所述根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，包括：根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的第一距离；所述少子寿命分布图中，到所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的距离为多个所述第一距离的平均值的位置，作为所述硅块头部的切割位置。 5.如权利要求1所述的硅块头尾部去除方法，其特征在于，所述根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，包括：根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的第一距离；设定第一修剪距离，多个所述第一距离的平均值与所述第一修剪距离的差值，与所述硅块头部的切割位置到所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的距离相等。 6.如权利要求1所述的硅块头尾部去除方法，其特征在于，所述根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置，包括：根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的第二距离；所述少子寿命分布图中，到所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的距离为多个所述第二距离的平均值的位置，作为所述硅块尾部的切割位置。 7.如权利要求1所述的硅块头尾部去除方法，其特征在于，所述根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置，包括：根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的第二距离；设定第二修剪距离，多个所述第二距离的平均值与所述第二修剪距离的差值，与所述硅块尾部的切割位置到所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的距离相等。 8.一种硅块头尾部去除装置，其特征在于，包括：扫描模块，用于扫描硅块，得到所述硅块四个侧面的少子寿命分布图；判断模块，用于设定少子寿命阈值，根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置；分析模块，用于根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置；切除模块，用于根据所述硅块头部的切割位置和所述硅块尾部的切割位置对所述硅块头尾部进行切除。 9.如权利要求8所述的硅块头尾部去除装置，其特征在于，所述判断模块进一步用于将每个所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部的区域内，少子寿命低于所述少子寿命阈值，且距离所述少子寿命分布图对应所述硅块头部边缘最远的位置作为所述第一预设切割位置；以及将每个所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部的区域内，少子寿命低于所述少子寿命阈值，且距离所述少子寿命分布图对应所述硅块尾部边缘最远的位置作为所述第二预设切割位置。 10.如权利要求8所述的硅块头尾部去除装置，其特征在于，所述少子寿命阈值为1μs-4μs。
所属类别：	发明专利