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1.一种基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法,其特征在于:包括如下步骤: 首先将N,S-CDs/CuPc复合材料修饰到ITO电极上,形成异质结构光电转换层;然后将含有OTA毒素的分子印迹聚合液滴涂在所述异质结构光电转换层表面,通过光聚合得到分子印迹聚合物膜,再利用有机溶剂洗脱模板分子,得到所述的基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器。 2.根据权利要求1所述的基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法,其特征在于:所述N,S-CDs/CuPc复合材料在ITO电极上的修饰方法如下:将壳聚糖溶液与适量N,S-CDs/CuPc溶液混合得到混合溶液,然后取适量所得混合溶液滴涂在洁净的导电玻璃电极上,干燥后冷却至室温即可。 3.根据权利要求1所述的基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法,其特征在于:所述的分子印迹聚合液由OTA模板分子、功能单体甲基丙烯酸(MAA)、乙二醇二甲基丙烯酸酯(EDMA)交联剂、偶氮二异丁腈(AIBN)引发剂组成。 4.根据权利要求1所述的基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法,其特征在于:所述N,S-CDs/CuPc复合材料采用如下方法制备: (1)N,S-CDs的制备:按配比将柠檬酸和L-半胱氨酸溶于适量去离子水,然后在120~130℃的条件下搅拌反应3~4h,将得到的黄色的胶状物转移到聚四氟乙烯反应釜中,再在180~200℃条件下反应5~8h,反应结束后冷却到室温,离心、洗涤得到N,S-CDs,最后稀释20~40倍,得到N,S-CDs稀释液,备用; (2)N,S-CDs/CuPc复合材料的制备:用氢氧化钠溶液将步骤(1)所得N,S-CDs稀释液的pH调至7,然后将N,S-CDs稀释液与CuPc溶液按比例混合,在震荡的条件下反应36~54h,最后过滤得到N,S-CDs/CuPc复合材料。 5.根据权利要求4所述的基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述柠檬酸与L-半胱氨酸的质量比为1~3:1。 6.根据权利要求4所述的基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法,其特征在于:步骤(2)所述N,S-CDs稀释液与CuPc溶液的体积比为1~1:2。 7.权利要求1~6任一项所述基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法制备得到的基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器。 8.一种基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器,包括工作电极,以及依次修饰在所述电极表面的光电转换层和分子印迹聚合物膜层,其特征在于:所述光电转换层材料采用的是权利要求1~6任一项所述方法制备得到的基于N,S-CDs/CuPc复合材料。 9.权利要求1~6任一项所述方法制备得到的基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的应用,其特征在于:可应用于OTA毒素的检测。 10.根据权利要求9所述的基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器应用于检测OTA毒素的方法,所述方法包括如下步骤: (i)将所述分子印迹光电化学传感器浸入到含OTA的溶液中进行孵化; (ii)检测OTA异质结构分子印迹光电化学传感器的电信号,将所述传感器放入含有抗坏血酸(AA)的溶液中进行电流-时间扫描,得到电流信号变化情况。 |