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原文传递温度反应器及其制作方法

专利名称：	温度反应器及其制作方法
摘要：	本发明提供一种温度反应器及其制作方法。通过在温度反应器制作工艺过程中形成密封腔体和观察窗口并在形成密封腔体的密封层中设置测温电阻，本发明能够克服传统温度反应器使用时存在的上下窗口难以对准导致的测试样品容易污染、温度反应器密封性差、测试观察过程中加温不准确以及传统的温度反应器在TEM/SEM类测试设备内部不易观察和探测等问题。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	中国科学院微电子研究所
发明人：	蒋文静;刘战峰;欧文
专利状态：	有效
申请日期：	2019-01-29T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-21T00:00:00+0800
申请号：	CN201910086032.0
公开号：	CN109781499A
代理机构：	北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人：	程殿军
分类号：	G01N1/44(2006.01);G;G01;G01N;G01N1
申请人地址：	100029 北京市朝阳区北土城西路3号
主权项：	1.一种温度反应器，其特征在于，所述温度反应器自下而上依次包括保护层、硅衬底、观察层、第一钝化层、密封腔、密封层、第二钝化层，所述温度反应器还包括多个加热电阻、多个测温电阻、两个连通所述密封腔的凹槽和一个观察窗口；其中，所述加热电阻沉积在所述观察层上且位于所述第一钝化层中，所述测温电阻沉积在所述密封层上且位于所述第二钝化层中，所述凹槽贯穿于所述保护层、所述硅衬底、所述观察层、所述第一钝化层以连通所述密封腔，所述观察窗口贯穿于所述保护层和所述硅衬底。 2.根据权利要求1所述的温度反应器，其特征在于，所述加热电阻的材料为铂、镍或者钨，所述测温电阻的材料为铂、铜、镍或者铁。 3.根据权利要求1所述的温度反应器，其特征在于，所述密封层的材料为二氧化硅、氮化硅或者三氧化二铝。 4.根据权利要求1所述的温度反应器，其特征在于，所述第一钝化层为氮化硅或者二氧化硅透明介质材料。 5.根据权利要求1所述的温度反应器，其特征在于，所述第二钝化层为氮化硅，二氧化硅或者三氧化二铝透明介质材料。 6.根据权利要求1所述的温度反应器，其特征在于，所述保护层和所述观察层为应力小于50兆帕的低应力氮化硅层。 7.一种温度反应器的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底的上下表面上同时沉积观察层和保护层；刻蚀所述保护层以形成贯穿于所述保护层的两个凹槽下开口和一个观察窗口开口；在所述观察层上沉积多个加热电阻；在沉积有所述多个加热电阻的所述观察层上沉积第一钝化层；刻蚀所述第一钝化层和所述观察层以形成贯穿于所述第一钝化层和所述观察层的两个凹槽上开口；在所述第一钝化层和暴露的硅衬底上表面上沉积牺牲层，刻蚀所述牺牲层以去除所述牺牲层两端的部分牺牲层；在经过刻蚀处理的牺牲层上沉积密封层以形成密封腔；在所述密封层上沉积多个测温电阻，然后在沉积有所述多个测温电阻的所述密封层上沉积第二钝化层；在所述两个凹槽下开口和所述观察窗口开口处开始刻蚀所述硅衬底以形成贯穿于所述硅衬底的连通所述密封腔的两个凹槽和所述观察窗口；利用释放技术去除所述经过刻蚀处理的牺牲层。 8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述加热电阻的材料为铂、镍或者钨，所述测温电阻的材料为铂、铜、镍或者铁。 9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述密封层的材料为二氧化硅或者氮化硅。 10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一钝化层为氮化硅或者二氧化硅透明介质材料。 11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二钝化层为氮化硅、二氧化硅或者三氧化二铝透明介质材料。 12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述保护层和所述观察层为应力小于50兆帕的低应力氮化硅层。 13.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为聚乙烯、聚酰亚胺或者玻璃。
所属类别：	发明专利