详情

原文传递一种重包装高阻隔塑料包装膜及制备方法

专利名称：	一种重包装高阻隔塑料包装膜及制备方法
摘要：	本发明涉及一种重包装高阻隔塑料包装膜及制备方法，属于PET膜改性领域。重包装高阻隔塑料包装膜的制备方法，步骤为：a、采用等离子体增强化学气相沉积装置，将PET放置于真空室，再抽真空至本底真空度为1～5×10‑3Pa；然后将氩气通入，开启射频电源，在14～18Pa的压强下活化处理5～10分钟；处理完成后，关闭射频电源并停止Ar的通入；b、再将石墨烯放入真空室，通入氧气和氩气，使真空室气压保持25～35Pa，氩气与氧气的气压比为1～2:1，再开启射频电源，处理4～8分钟，得到重包装高阻隔塑料包装膜。该方法采用等离子体增强化学气相沉积方法使氧化石墨烯直接沉积在PET薄膜表面，提升薄膜的阻隔性。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	四川;51
申请人：	成都新柯力化工科技有限公司
发明人：	陈庆;昝航
专利状态：	有效
申请日期：	2019-03-25T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-24T00:00:00+0800
申请号：	CN201910226310.8
公开号：	CN109795793A
分类号：	B65D65/42(2006.01);B;B65;B65D;B65D65
申请人地址：	610091 四川省成都市青羊区蛟龙工业港东海路4座
主权项：	1.一种重包装高阻隔塑料包装膜的制备方法，其特征在于，按以下步骤进行： a、对基材进行活化处理：采用等离子体增强化学气相沉积装置，以PET 薄膜为基材，将基材放置于PECVD真空室的上电极板表面，再将真空室抽真空至本底真空度为1×10-3～5×10-3Pa；然后将氩气通入PECVD等离子体产生室，开启射频电源，在14～18Pa的压强下利用Ar等离子体对基材进行活化处理，处理时间为5～10分钟；处理完成后，关闭射频电源并停止Ar的通入； b、沉淀氧化石墨烯：再将石墨烯放入PECVD真空室，通入氧气和氩气，使真空室气压保持25～35Pa，氩气与氧气的气压比为1～2:1，再开启射频电源，处理4～8分钟，得到重包装高阻隔塑料包装膜。 2.根据权利要求1所述的一种重包装高阻隔塑料包装膜的制备方法，其特征在于：步骤a中，将真空室抽真空至本底真空度为2×10-3～3×10-3Pa。 3.根据权利要求1或2所述的一种重包装高阻隔塑料包装膜的制备方法，其特征在于：步骤a中，在15Pa的压强下利用Ar等离子体对基材进行活化处理。 4.根据权利要求1或2所述的一种重包装高阻隔塑料包装膜的制备方法，其特征在于：步骤a中，活化处理时间为5分钟。 5.根据权利要求1或2所述的一种重包装高阻隔塑料包装膜的制备方法，其特征在于：步骤b中，氩气与氧气的气压比为1.5～2:1。 6.根据权利要求5所述的一种重包装高阻隔塑料包装膜的制备方法，其特征在于：步骤b中，氩气与氧气的气压比为2:1。 7.根据权利要求1或2所述的一种重包装高阻隔塑料包装膜的制备方法，其特征在于：步骤b中，真空室气压保持30Pa。 8.根据权利要求1或2所述的一种重包装高阻隔塑料包装膜的制备方法，其特征在于：步骤b中，处理时间6分钟。 9.一种重包装高阻隔塑料包装膜，其特征在于，采用权利要求1～8所述的重包装高阻隔塑料包装膜的制备方法制备而成。
所属类别：	发明专利