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一种基于硫化镉对含有冠醚的酞菁分子半导体材料的无机掺杂修饰方法
| 专利名称： | 一种基于硫化镉对含有冠醚的酞菁分子半导体材料的无机掺杂修饰方法 |
| 摘要： | 一种基于硫化镉对含有冠醚的酞菁分子半导体材料的无机掺杂修饰方法。其特征在于将含有冠醚的酞菁分子2,3‑二辛烷氧基‑9,10,16,17,23,24‑三15冠5酞菁H2{Pc(15C5)3[(OC8H17)2]}(Pc‑1)和2,3‑15冠5‑9,10,16,17,23,24‑六辛烷氧基酞菁H2{Pc(15C5)[(OC8H17)6]}(Pc‑2)在氯化镉液面上铺展，并在硫化氢熏蒸后，利用水平提拉法(LS)将其取出并制成酞菁分子半导体材料。该方法可以显著提高含冠醚的酞菁分子半导体材料对于二氧化氮气体响应的最低检测限以及响应的灵敏度，对于二氧化氮的环境监测有着极高的实用价值。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 山东;37 |
| 申请人： | 中国石油大学(华东) |
| 发明人： | 杨超逸;刘熙;贺润娜;孙琦琦;邢传旺;陈艳丽 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-02-18T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-05-31T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910118949.4 |
| 公开号： | CN109828003A |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 266580 山东省青岛市黄岛区长江西路66号 |
| 主权项： | 1.本发明的目的是提供一种基于硫化镉对不对称冠醚取代酞菁分子半导体材料的无机掺杂修饰方法，其特征在于将冠醚取代的酞菁分子在氯化镉液面上铺展，并在硫化氢熏蒸后，利用水平提拉法将其取出并制成酞菁/CdS半导体混杂材料；该修饰方法的特征在于所选用的不对称冠醚取代酞菁分子是2,3–二辛烷氧基–9,10,16,17,23,24–三15冠5酞菁H2{Pc(15C5)3[(OC8H17)2]}(Pc-1)和2,3–15冠5–9,10,16,17,23,24–六辛烷氧基酞菁H2{Pc(15C5)[(OC8H17)6]}(Pc-2)；制备包括以下几个步骤： 步骤1：在洗净的培养皿中加入浓度为1×10-4mol·L-1的CdCl2水溶液，用微量进样器在CdCl2液面上滴加60μL 1.2×10-4mol·L-1酞菁的二氯甲烷溶液，让溶液在液面上平铺；将培养皿放入密封干燥器中，静置3小时,以保证Pc-n/CdS(n＝1,2)自组装薄膜会在CdCl2水溶液表面形成； 步骤2：在密封培养皿中放入装有20ml 6×10-3mol·L-1的Na2S溶液和10ml 0.24×10-3mol·L-1HCl混合溶液的小烧杯，利用产生的H2S熏蒸20min； 步骤3：采用水平提拉法将水面上排列的分子自组装膜转移到洗净的石英、ITO基片上。 2.根据权利要求1所述的无机掺杂修饰方法，其中修饰方法为硫化氢氛围熏蒸在空气/CdCl2界面上形成的Pc-n(n＝1,2)膜。 3.根据权利要求1所述的无机掺杂修饰方法，其中不对称冠醚取代酞菁的浓度为1.2×10-4mol·L-1，熏蒸时间为20分钟。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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