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原文传递硅晶向鉴别仪

专利名称：	硅晶向鉴别仪
摘要：	本发明公开了一种硅晶向鉴别仪，本鉴别仪包括沿光束方向依次设置的激光发射器、透镜、检测单元、分束单元以及光强探测器和偏振探测器，激光发射器发射的激光通过透镜聚焦后照射至检测单元，检测单元形成反射光输出至分束单元，分束单元输出两路光束并且分别被光强探测器和偏振探测器接收，光强探测器测出经检查单元后反射激光的光强和光斑的位移，偏振探测器测出经检查单元后反射激光的偏振和光斑的位移。本鉴别仪有效提高硅晶向鉴别的精度，从而提高掩膜版与晶圆大晶向的对准精度，且光路元件结构简单，降低设备成本，具有反应速度快，精度高、可靠性高等优点。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海理工大学
发明人：	王振宇;乔治;蔡一博;高文强;沈世华;焦新兵
专利状态：	有效
申请日期：	2019-02-21T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-31T00:00:00+0800
申请号：	CN201910129809.7
公开号：	CN109827961A
代理机构：	上海天协和诚知识产权代理事务所
代理人：	沈国良
分类号：	G01N21/84(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	200093 上海市杨浦区军工路516号
主权项：	1.一种硅晶向鉴别仪，其特征在于：本鉴别仪包括沿光束方向依次设置的激光发射器、透镜、检测单元、分束单元以及光强探测器和偏振探测器，所述激光发射器发射的激光通过所述透镜聚焦后照射至所述检测单元，检测单元形成反射光输出至所述分束单元，分束单元输出两路光束并且分别被所述光强探测器和偏振探测器接收，所述光强探测器测出经检查单元后反射激光的光强和光斑的位移，所述偏振探测器测出经检查单元后反射激光的偏振和光斑的位移。 2.根据权利要求1所述的硅晶向鉴别仪，其特征在于：所述检测单元包括表面涂覆二氧化硅薄膜的硅板、以及分别设于硅板表面的二氧化硅薄膜一侧和硅板背面另一侧的正负电极，所述正负电极包括层叠的铜片和石墨片并且石墨片分别连接所述硅板背面和二氧化硅薄膜，所述正负电极分别连接直流电源的正负端。 3.根据权利要求2所述的硅晶向鉴别仪，其特征在于：所述石墨片的厚度为10nm～5mm，所述二氧化硅薄膜由磁控溅射法制备，其厚度为1～100nm。 4.根据权利要求1、2或3所述的硅晶向鉴别仪，其特征在于：所述检测单元的激光入射角度为0～90°，入射光与反射光的夹角为0～180°。 5.根据权利要求4所述的硅晶向鉴别仪，其特征在于：所述激光发射器为小功率半导体激光发射器，其输出激光波长为200～1800nm。
所属类别：	发明专利