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原文传递非均质性储层聚集成藏系数的确定方法、装置及存储介质

专利名称：	非均质性储层聚集成藏系数的确定方法、装置及存储介质
摘要：	本申请公开了一种非均质性储层聚集成藏系数的确定方法、装置及存储介质，属于油气勘探开发领域。该方法包括：确定非均质性储层的中值深度。根据非均质性储层的中值深度，确定非均质性储层中各个单一岩性储层的成藏孔隙度下限。根据非均质性储层中各个单一岩性储层的成藏孔隙度下限，确定非均质性储层中各个单一岩性储层的排替压力下限。根据非均质性储层中各个单一岩性储层的排替压力下限，以得到非均质性储层的排替压力下限。通过非均质性储层的排替压力下限确定非均质性储层的聚集成藏系数。本申请可以确定非均质性储层的聚集成藏系数，相比于通过单一岩性的排替压力下限来判断聚集成藏的难易程度来说，提高了判断结果的准确性。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	中国石油天然气股份有限公司
发明人：	王鑫;崔宇;王辉;张津宁;金凤鸣;周立宏;付立新;李宏军;楼达;吴雪松;赵勇刚;冯建园
专利状态：	有效
申请日期：	2019-01-15T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-31T00:00:00+0800
申请号：	CN201910035376.9
公开号：	CN109828098A
代理机构：	北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人：	贾敏
分类号：	G01N33/24(2006.01);G;G01;G01N;G01N33
申请人地址：	100007 北京市东城区东直门北大街9号中国石油大厦
主权项：	1.一种非均质性储层聚集成藏系数的确定方法，其特征在于，所述方法包括：确定非均质性储层的中值深度，所述中值深度是指所述非均质性储层的厚度的中间位置距离地表的深度；根据所述非均质性储层的中值深度，以及存储的多个单一岩性的第一类岩性系数，确定所述非均质性储层中各个单一岩性储层的成藏孔隙度下限；根据所述非均质性储层中各个单一岩性储层的成藏孔隙度下限，以及存储的第二类岩性系数，确定所述非均质性储层中各个单一岩性储层的排替压力下限；根据所述非均质性储层中各个单一岩性储层的排替压力下限，以及所述非均质性储层中各个单一岩性储层占所述非均质性储层的厚度比例，进行加权运算，以得到所述非均质性储层的排替压力下限；通过所述非均质性储层的排替压力下限确定所述非均质性储层的聚集成藏系数，所述聚集成藏系数用于指示所述非均质性储层的聚集成藏的难易程度。 2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述非均质性储层的中值深度，以及存储的多个单一岩性的第一类岩性系数，确定所述非均质性储层中各个单一岩性储层的成藏孔隙度下限，包括：对于所述非均质性储层中的任一单一岩性储层A，从存储的多个单一岩性的第一类岩性系数中，获取所述单一岩性储层A的第一类岩性系数；根据所述非均质性储层的中值深度，以及所述单一岩性储层A的第一类岩性系数，通过下述第一公式，确定所述单一岩性储层A的成藏孔隙度下限；第一公式：Φn＝anln(H)+bn 其中，所述Φn是指所述单一岩性储层A的成藏孔隙度下限，所述an、bn是指所述单一岩性储层A的第一类岩性系数，所述H是指所述中值深度。 3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述非均质性储层中各个单一岩性储层的成藏孔隙度下限，以及存储的第二类岩性系数，确定所述非均质性储层中各个单一岩性储层的排替压力下限，包括：对于所述非均质性储层中的任一单一岩性储层A，根据所述单一岩性储层A的成藏孔隙度下限，以及存储的第二类岩性系数，按照下述第二公式，确定所述单一岩性储层A的排替压力下限；第二公式：其中，所述Pn是指所述单一岩性储层A的排替压力下限，所述c、d是指所述第二类岩性系数。 4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述非均质性储层中各个单一岩性储层的排替压力下限，以及所述非均质性储层中各个单一岩性储层占所述非均质性储层的厚度比例，进行加权运算，以得到所述非均质性储层的排替压力下限，包括：根据所述非均质性储层中各个单一岩性储层的排替压力下限，以及所述非均质性储层中各个单一岩性储层占所述非均质性储层的厚度比例，通过下述第三公式，确定所述非均质性储层的排替压力下限；第三公式：P＝XP1+YP2+ZP3+...+NPn(X+Y+Z+...+N＝1) 其中，所述P是指所述非均质性储层的排替压力下限，所述P1，P2，P3...Pn为所述各个单一岩性储层的排替压力下限，所述X，Y，Z...N为所述各个单一岩性储层占所述非均质性储层的厚度比例。 5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述非均质性储层的排替压力下限确定所述非均质性储层的聚集成藏系数，包括：根据所述非均质性储层的排替压力下限，以及砂岩储层的排替压力下限，根据下述第四公式，确定所述非均质性储层的聚集成藏系数；第四公式：f＝P/P砂岩其中，所述f为所述非均质性储层的聚集成藏系数，所述P是指所述非均质性储层的排替压力下限，所述P砂岩是指所述砂岩储层的排替压力下限。 6.一种非均质性储层聚集成藏系数的确定装置，其特征在于，所述装置包括：第一确定模块，用于确定非均质性储层的中值深度，所述中值深度是指所述非均质性储层的厚度的中间位置距离地表的深度；第二确定模块，用于根据所述非均质性储层的中值深度，以及存储的多个单一岩性的第一类岩性系数，确定所述非均质性储层中各个单一岩性储层的成藏孔隙度下限；第三确定模块，用于根据所述非均质性储层中各个单一岩性储层的成藏孔隙度下限，以及存储的第二类岩性系数，确定所述非均质性储层中各个单一岩性储层的排替压力下限；加权运算模块，用于根据所述非均质性储层中各个单一岩性储层的排替压力下限，以及所述非均质性储层中各个单一岩性储层占所述非均质性储层的厚度比例，进行加权运算，以得到所述非均质性储层的排替压力下限；第四确定模块，用于通过所述非均质性储层的排替压力下限确定所述非均质性储层的聚集成藏系数，所述聚集成藏系数用于指示所述非均质性储层的聚集成藏的难易程度。 7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第二确定模块包括：获取子模块，用于对于所述非均质性储层中的任一单一岩性储层A，从存储的多个单一岩性的第一类岩性系数中，获取所述单一岩性储层A的第一类岩性系数；第一确定子模块，用于根据所述非均质性储层的中值深度，以及所述单一岩性储层A的第一类岩性系数，通过下述第一公式，确定所述单一岩性储层A的成藏孔隙度下限；第一公式：Φn＝anln(H)+bn 其中，所述Φn是指所述单一岩性储层A的成藏孔隙度下限，所述an、bn是指所述单一岩性储层A的第一类岩性系数，所述H是指所述中值深度。 8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第三确定模块包括：第二确定子模块，用于对于所述非均质性储层中的任一单一岩性储层A，根据所述单一岩性储层A的成藏孔隙度下限，以及存储的第二类岩性系数，按照下述第二公式，确定所述单一岩性储层A的排替压力下限；第二公式：其中，所述Pn是指所述单一岩性储层A的排替压力下限，所述c、d是指所述第二类岩性系数。 9.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述加权运算模块包括：第三确定子模块，用于根据所述非均质性储层中各个单一岩性储层的排替压力下限，以及所述非均质性储层中各个单一岩性储层占所述非均质性储层的厚度比例，通过下述第三公式，确定所述非均质性储层的排替压力下限；第三公式：P＝XP1+YP2+ZP3+...+NPn(X+Y+Z+...+N＝1) 其中，所述P是指所述非均质性储层的排替压力下限，所述P1，P2，P3...Pn为所述各个单一岩性储层的排替压力下限，所述X，Y，Z...N为所述各个单一岩性储层占所述非均质性储层的厚度比例。 10.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第四确定模块包括：第四确定子模块，用于根据所述非均质性储层的排替压力下限，以及砂岩储层的排替压力下限，根据下述第四公式，确定所述非均质性储层的聚集成藏系数；第四公式：f＝P/P砂岩其中，所述f为所述非均质性储层的聚集成藏系数，所述P是指所述非均质性储层的排替压力下限，所述P砂岩是指所述砂岩储层的排替压力下限。 11.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-5任一所述的方法。
所属类别：	发明专利