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原文传递半导体传感器及其制造方法、以及复合传感器

专利名称：	半导体传感器及其制造方法、以及复合传感器
摘要：	半导体传感器，其用于选择性且高灵敏度地检测靶标物质，所述半导体传感器具有基板、第1电极、第2电极、和设置于第1电极与第2电极之间的半导体层，半导体层包含半导体成分、和免疫球蛋白的部分结构体，免疫球蛋白的部分结构体在重链的铰链区介由连接基团L1而结合或附着于半导体成分。以及，半导体传感器的制造方法，其中，形成半导体层的工序包括在第1电极与第2电极之间涂布半导体成分的工序。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	东丽株式会社
发明人：	内藤孝二郎;长尾和真;村濑清一郎
专利状态：	有效
申请日期：	2017-10-13T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-04T00:00:00+0800
申请号：	CN201780063515.8
公开号：	CN109844530A
代理机构：	北京市金杜律师事务所
代理人：	杨宏军;李国卿
分类号：	G01N33/543(2006.01);G;G01;G01N;G01N33
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.半导体传感器，其具有基板、第1电极、第2电极、和设置于所述第1电极与所述第2电极之间的半导体层，所述半导体层包含半导体成分、和免疫球蛋白的部分结构体，所述免疫球蛋白的部分结构体在重链的铰链区介由连接基团L1而结合或附着于所述半导体成分。 2.如权利要求1所述的半导体传感器，其中，所述免疫球蛋白的部分结构体的铰链区包含硫原子，所述硫原子与所述连接基团L1形成键。 3.如权利要求2所述的半导体传感器，其中，所述连接基团L1与所述免疫球蛋白的部分结构体的铰链区介由所述硫原子而形成硫醚键。 4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体传感器，其中，所述连接基团L1具有取代或未取代的芳香族烃基及/或芳香族杂环基。 5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体传感器，其中，所述连接基团L1具有取代或未取代的芳香族烃基，未包括取代基在内的所述芳香族烃基的碳原子数为14以上且22以下。 6.半导体传感器，其具有基板、第1电极、第2电极、和设置于所述第1电极与所述第2电极之间的半导体层，所述半导体层具有结合或附着有靶标识别分子的半导体成分，所述靶标识别分子至少具有靶标捕获体X及连接基团L2，所述靶标捕获体X是分子量为20000以上且200000以下的蛋白质或核酸，所述连接基团L2中的原子数N为5以上且30以下，所述原子数N为从结合于所述半导体成分的原子起或从与附着在所述半导体成分上的基团结合的原子起、直至与来自所述靶标捕获体X的原子结合的原子为止的原子数。 7.如权利要求6所述的半导体传感器，其中，所述靶标识别分子为由下述通式(1)表示的化合物、或者具有由下述通式(2)表示的结构作为重复单元的高分子化合物， [化学式1] Ar1-L2-X (1) 通式(1)中，Ar1为取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的芳香族烃基； L2为所述连接基团L2，从与来自Ar1的原子结合的原子起、直至与来自X的原子结合的原子为止的原子数N1为5以上且30以下； X为所述靶标捕获体X，是分子量为20000以上且200000以下的蛋白质或核酸， [化学式2] 通式(2)中，Ar2为取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的芳香族烃基； L2为所述连接基团L2，是从与来自Ar2的原子结合的原子起、直至与来自X的原子结合的原子为止的原子数N2为5以上且30以下的连接基团； X为所述靶标捕获体X，是分子量为20000以上且200000以下的蛋白质或核酸。 8.如权利要求7所述的半导体传感器，其中，所述靶标识别分子为由所述通式(1)表示的化合物，所述通式(1)中，Ar1为所述取代或未取代的芳香族烃基，未包括取代基在内的所述芳香族烃基的碳原子数为14以上且22以下。 9.如权利要求6所述的半导体传感器，其中，所述原子数N为8以上且16以下。 10.如权利要求7或8所述的半导体传感器，其中，所述原子数N1及/或N2为8以上且16以下。 11.如权利要求6～10中任一项所述的半导体传感器，其中，所述靶标捕获体X为免疫球蛋白、或免疫球蛋白的部分结构体。 12.如权利要求6～11中任一项所述的半导体传感器，其中，所述靶标捕获体X为免疫球蛋白的部分结构体。 13.如权利要求6～12中任一项所述的半导体传感器，其中，所述免疫球蛋白的部分结构体在重链的铰链区与连接基团L2形成键。 14.如权利要求1～5、12、13中任一项所述的半导体传感器，其中，所述免疫球蛋白的部分结构体为与血红蛋白或糖化血红蛋白中的至少一者选择性地相互作用的免疫球蛋白的部分结构体。 15.如权利要求1～5、12～14中任一项所述的半导体传感器，其中，所述免疫球蛋白的部分结构体的分子量为20000以上且120000以下。 16.如权利要求1～15中任一项所述的半导体传感器，其中，所述连接基团L1及/或L2包含选自由醚键、酰胺键、及酰亚胺键组成的组中的结构中的至少一种。 17.如权利要求1～16中任一项所述的半导体传感器，其中，所述连接基团L1及/或L2包含五元环结构。 18.如权利要求1～17中任一项所述的半导体传感器，其中，所述半导体成分为选自由富勒烯、碳纳米管、石墨烯、及碳纳米角组成的组中的至少一种。 19.如权利要求1～18中任一项所述的半导体传感器，其中，在所述半导体成分的至少一部分附着有共轭系聚合物。 20.如权利要求1～19中任一项所述的半导体传感器，其中，还设置有第3电极。 21.如权利要求1～20中任一项所述的半导体传感器，所述半导体传感器将来自生物体的物质作为检测对象。 22.复合传感器，其包含权利要求1～21中任一项所述的半导体传感器、和检测葡萄糖的传感器。 23.半导体传感器的制造方法，其是具有基板、第1电极、第2电极、和设置于所述第1电极与所述第2电极之间的半导体层的半导体传感器的制造方法，其中，形成所述半导体层的工序包括在所述第1电极与所述第2电极之间涂布半导体成分的工序。
所属类别：	发明专利