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原文传递一种测量半导体热阻的方法

专利名称：	一种测量半导体热阻的方法
摘要：	本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种测量半导体热阻的方法，其中包括，步骤S1、提供数据收集系统，数据收集系统包括记录仪，记录仪预先记录嵌入式系统的环境温度；步骤S2、关闭嵌入式系统的温度控制，使得嵌入式系统运行于预设工作频率下测试嵌入式系统的CPU的温度差；步骤S3、记录仪记录与嵌入式系统的集成芯片相关的电源电压以及对应电源电压的电流，并将电源电压以及对应电源电压的电流与温度差记录至热阻参数表格；步骤S4、对照热阻参数表格以比较不同散热材质之间的热阻大小。有益效果：通过多点测量，测量精度高，节省人力，对整机功耗及各个分支功耗数据进行记录，计算方便，能够寻找到最好的散热材质，降低芯片制造成本。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	晶晨半导体(上海)股份有限公司
发明人：	郭宇程;邓海东;方永新;孙顺清;黄珂明;廖泽雄
专利状态：	有效
申请日期：	2019-03-29T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-05T00:00:00+0800
申请号：	CN201910251031.7
公开号：	CN109975349A
代理机构：	上海申新律师事务所
代理人：	俞涤炯
分类号：	G01N25/20(2006.01);G;G01;G01N;G01N25
申请人地址：	201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区碧波路518号207室
主权项：	1.一种测量半导体热阻的方法，适用于一嵌入式系统的集成电路板，其特征在于，包括：步骤S1、提供一数据收集系统，所述数据收集系统包括一记录仪，所述记录仪预先记录所述嵌入式系统的环境温度；步骤S2、关闭所述嵌入式系统的温度控制，使得所述嵌入式系统运行于一预设工作频率下测试所述嵌入式系统的CPU的温度差；步骤S3、所述记录仪记录与所述嵌入式系统的集成芯片相关的电源电压以及对应所述电源电压的电流，并将所述电源电压以及对应所述电源电压的电流与所述温度差记录至一热阻参数表格；步骤S4、对照所述热阻参数表格，以比较不同散热材质之间的热阻大小。 2.根据权利要求1所述的测量半导体热阻的方法，其特征在于，于所述步骤S1中，所述记录仪预先记录所述嵌入式系统的环境温度之前，将所述嵌入式系统的集成电路板浮空设置。 3.根据权利要求1所述的测量半导体热阻的方法，其特征在于，于所述步骤S2中，所述预设工作频率至少设置为100MHZ；或二分之一的所述CPU的最大运行频率；或所述CPU的最大运行频率。 4.根据权利要求1所述的测量半导体热阻的方法，其特征在于，于所述步骤S3中，与所述嵌入式系统的集成芯片相关的电源电压包括1.8V的电源输出电压；和/或 CPU的电源电压；和/或存储芯片输出缓冲供电电压。 5.根据权利要求1所述的测量半导体热阻的方法，其特征在于，所述步骤S2中，于测试所述嵌入式系统的CPU的温度差的过程中，使用红外或热耦或热传感器记录所述温度差。 6.根据权利要求1所述的测量半导体热阻的方法，其特征在于，于所述步骤S2中，所述预设工作频率至少分为由大致小的依次排列的四个台阶频率，至少四个所述台阶频率分别进行预处理循环过程。 7.根据权利要求6所述的测量半导体热阻的方法，其特征在于，所述预处理循环过程为先升高所述台阶频率，接着降低所述台阶频率，以此循环进行。 8.根据权利要求6所述的测量半导体热阻的方法，其特征在于，于进行预处理循环过程中，在每个所述台阶频率处至少稳定一预设时间。 9.根据权利要求8所述的测量半导体热阻的方法，其特征在于，所述预设时间至少设置为15分钟。
所属类别：	发明专利