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一种SERS芯片及其制备方法和应用
| 专利名称： | 一种SERS芯片及其制备方法和应用 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SERS芯片及其制备方法和应用，所述SERS芯片包括基片、覆在所述基片上的黑磷层和分布在所述黑磷层表面的贵金属纳米粒子。本发明制备得到的SERS芯片上贵金属纳米粒子紧密排列，形成SERS检测“热点”区域，在高性能SERS检测中表现出突出的应用潜能，适合作为基底应用于表面增强拉曼散射检测，在食品分析、环境分析、药物分析等领域具有广阔的应用前景。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 深圳先进技术研究院 |
| 发明人： | 李鹏辉;陈婉玲;但琨;喻学锋;胡祥娜;禹绍周;王瑞 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-03-05T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-07-05T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910164245.0 |
| 公开号： | CN109975269A |
| 代理机构： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 |
| 代理人： | 唐致明 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 |
| 主权项： | 1.一种SERS芯片，其特征在于，包括基片、覆在所述基片上的黑磷层和分布在所述黑磷层表面的贵金属纳米粒子。 2.根据权利要求1所述的SERS芯片，其特征在于，所述黑磷层的材料为二维黑磷纳米片，所述二维黑磷纳米片的大小为0.1～10μm、厚度为2～20nm。 3.根据权利要求1所述的SERS芯片，其特征在于，所述贵金属纳米粒子为金纳米粒子、银纳米粒子、铂纳米粒子中的至少一种；优选所述贵金属纳米粒子的大小为10～100nm。 4.根据权利要求1-3任一项所述的SERS芯片，其特征在于，所述基片为硅片、玻璃片、石英片中的任一种。 5.权利要求1-4任一项所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)取或制备基片，将二维黑磷纳米片转移至所述基片上制备得到黑磷层； (2)在所述黑磷层上滴加贵金属盐溶液，反应生成贵金属纳米颗粒。 6.根据权利要求5所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于，在步骤(1)之前还包括采用液相剥离、机械剥离、电化学剥离中的任一种方式制备二维黑磷纳米片的步骤。 7.根据权利要求5所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于，步骤(1)具体为：采用液相剥离或电化学剥离的方式制备得到含有二维黑磷纳米片的溶液，滴在基片上至表面干燥制备得到黑磷层。 8.根据权利要求5所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述贵金属盐溶液中贵金属盐为硝酸银、氯金酸、氯铂酸中的至少一种；优选所述贵金属盐溶液的浓度为0.1～10mmol/L。 9.根据权利要求5所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述反应是原位还原；优选地，反应温度为室温，反应时间为1～20min。 10.权利要求1-4任一项所述的SERS芯片在表面增强拉曼散射检测中的应用。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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