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具有活性层的氢气传感器和生产氢气传感器的方法
| 专利名称： | 具有活性层的氢气传感器和生产氢气传感器的方法 |
| 摘要： | 包含材料的活性层沉积于其上的基质(S)的氢气传感器，所述材料包含选自稀土族的第一元素、选自铂系金属(PGM)的第二元素和选自碱土金属族的第三元素。所述材料的一个实例为LaMg2Pd。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 瑞士;CH |
| 申请人： | 斯沃奇集团研究和开发有限公司 |
| 发明人： | Y·克劳斯;E·科勒;J-P·拉平;M·斯塔尔德 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2012-06-06T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-07-09T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910113785.6 |
| 公开号： | CN109991284A |
| 代理机构： | 北京市中咨律师事务所 |
| 代理人： | 徐国栋;林柏楠 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 瑞士马林 |
| 主权项： | 1.包含材料的活性层(2)沉积于其上的基质(S)的氢气传感器，所述材料包含含有第一元素、第二元素和第三元素的组合物，所述第一元素选自稀土族或至少两种稀土族元素的组合，第二元素选自铂系金属(PGM)或至少两种铂系金属(PGM)元素的组合，且第三元素选自碱土金属族或至少两种碱土金属族元素的组合，所述传感器用于环境温度下氢气的吸收和解吸，其中活性层具有1nm-0.1mm，更特别地5-10,000nm，甚至更特别地50-1,500nm的厚度。 2.根据权利要求1的氢气传感器，其中活性层的第三元素选自镁或钙或这些元素的组合。 3.根据权利要求1或2的氢气传感器，其中活性层的第二元素选自钯或铂或这些元素的组合。 4.根据权利要求1-3中任一项的氢气传感器，其中活性层的第一元素选自稀土族或至少两种稀土族元素的组合。 5.根据权利要求1-3中任一项的氢气传感器，其中活性层的第一元素选自副族，包括镧、铈、镨、钕、钐、铓，或至少两种该副族的金属元素的组合。 6.根据前述权利要求中任一项的氢气传感器，其中基质包含选自钛酸锶、玻璃、硅和云母的材料。 7.根据前述权利要求中任一项的氢气传感器，其中活性层由选自如下的材料形成：LaMg2Pd、LaMg2Pt、Sc(x)La(1-x)Mg2Pd、La(1-x)Ce(x)Mg2Pd、LaMg(2-x)Ca(x)Pd、LaMg2Pd(1-x)Pt(x)(0 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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