详情

原文传递一种楔形缝隙腐蚀装置

专利名称：	一种楔形缝隙腐蚀装置
摘要：	一种楔形缝隙腐蚀装置，包括楔形缝隙模型、电解槽，所述楔形缝隙模型包括楔形上侧盖板、楔形缝隙、楔形下侧结构，所述楔形上侧盖板的设有若干组通孔，每组通孔为三个，分别用于安装H+‑ISFET传感器、参比电极、Ag/AgCl微电极，所述楔形下侧结构放置有若干组金属试片，所述楔形上侧盖板与所述楔形下侧结构配合连接，形成楔形缝隙，所述楔形缝隙除缝口端的三侧均采用密封材料密封，所述楔形缝隙模型安装在所述电解槽缺口处，使所述楔形缝隙模型的缝口与所述电解槽的缺口连通。本发明能够有效模拟腐蚀介质顺着涂层与基体金属的接触处向涂层下扩散，可以同时测试模拟缝隙下金属的多个腐蚀性参数，具有良好的实用性和较高的推广价值。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	夸克能源工程实验室(深圳)有限公司
发明人：	赵大伟;蔡峰;于洪涛;谌佳佳;黄家剑;谢长彪
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-24T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-19T00:00:00+0800
申请号：	CN201910331954.3
公开号：	CN110031391A
代理机构：	广州市南锋专利事务所有限公司
代理人：	黎健
分类号：	G01N17/02(2006.01);G;G01;G01N;G01N17
申请人地址：	518052 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
主权项：	1.一种楔形缝隙腐蚀装置，其特征在于：包括楔形缝隙模型、电解槽，所述楔形缝隙模型包括楔形上侧盖板、楔形缝隙、楔形下侧结构，所述楔形上侧盖板的设有若干组通孔，每组通孔为三个，分别用于安装若干组H+-ISFET传感器、参比电极、Ag/AgCl微电极，所述楔形下侧结构放置有若干组金属试片，所述楔形上侧盖板与所述楔形下侧结构配合连接，形成所述楔形缝隙，所述楔形缝隙除缝口端的三侧均采用密封材料密封，所述电解槽一侧设有缺口，所述楔形缝隙模型安装在所述缺口处，使所述楔形缝隙模型的缝口与所述电解槽的缺口连通，所述电解槽中装有土壤模拟溶液，从而使所述土壤模拟溶液进入所述楔形缝隙模型中，进行楔形缝隙中不同位置的腐蚀测试。 2.根据权利要求1所述的一种楔形缝隙腐蚀装置，其特征在于：所述楔形上侧盖板采用有机玻璃制成，对应每一组所述金属试片的位置均平行开设有三个所述通孔，每一组的所述H+-ISFET传感器、Ag/AgCl微电极分别插入该组外层的两个所述通孔内，所述参比电极通过盐桥插入到该组中间的所述通孔内；所述通孔大小均以刚好插入为准，以增加气密性。 3.根据权利要求1所述的一种楔形缝隙腐蚀装置，其特征在于：所述金属试片焊接有铜导线，焊接有铜导线的所述金属试片固定在硬纸板做成的模具中，通过浇入环氧树脂形成所述楔形下侧结构，浇注好的所述楔形下侧结构需经过打磨、清洗、吹干后方可使用。 4.根据权利要求1所述的一种楔形缝隙腐蚀装置，其特征在于：所述楔形缝隙的缝口端贴有胶带纸，所用胶代纸每层厚为0.05mm，用不同层数的胶代纸来确定缝隙的厚度，然后将所述楔形上侧盖板与固定有金属试片的所述楔形下侧结构用橡皮筋固定，除所述缝口端以外，三侧均采用704硅橡胶密封，24小时后方可使用。 5.根据权利要求1所述的一种楔形缝隙腐蚀装置，其特征在于：所述Ag/AgCl微电极采用自制的Ag/AgCl电极，自制方法如下：将直径0.4mm的纯银丝焊接在铜导线上，焊接处用302胶封好；银丝用1500号的金相砂纸仔细打磨后，在12％的氨水中浸泡15分钟，然后用去离子水反复清洗干净，用滤纸吸干水分备用；在0.1mol/L的盐酸中，以银丝作为阳极，铂片做为阴极，用0.2mA/cm2的电流恒电流电解氯化24小时，使银丝表面覆盖一层褐色的AgCl，最后，把氯化好的电极置于0.1mol/L的盐酸中浸泡24小时，使之老化，从而制得Ag/AgCl微电极。 6.根据权利要求2所述的一种楔形缝隙腐蚀装置，其特征在于：所述盐桥采用尾端为尖状的自制盐桥，自制方法如下：把直径1.5mm的毛细玻璃管的一端用酒精喷灯灼烧，得到大约10μm的小孔，用注射器注入煮沸的按一定比例配制的氯化钾琼脂液，然后将另一端与灌有饱和氯化钾溶液的塑料管相连，再用302胶封好，制成不易折断的简易盐桥，塑料管均取15cm，以减小它所带来的一些误差。 7.根据权利要求1所述的一种楔形缝隙腐蚀装置，其特征在于：每个所述H+-ISFET传感器在使用前都要事先标定其事先标定的“电位—pH”图。 8.根据权利要求1所述的一种楔形缝隙腐蚀装置，其特征在于：每个所述Ag/AgCl微电极在使用前都要在配制的标准NaCl溶液中进行标定，得出该Ag/AgCl微电极的“电位—Cl-浓度”关系图。
所属类别：	发明专利