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原文传递二维金属/氧化物异质结，其制备方法以及传感器

专利名称：	二维金属/氧化物异质结，其制备方法以及传感器
摘要：	本发明涉及一种二维金属/氧化物异质结，其包括二维过渡金属氧化物层和金属性二维过渡金属硫属化合物层，其中，所述二维过渡金属氧化物层和金属性二维过渡金属硫属化合物层在同一二维材料面内形成异质结。该二维金属/氧化物异质结的制备方法为采用激光局部加热该金属性二维过渡金属硫属化合物层，使得该金属性二维过渡金属硫属化合物层的一部分转化为二维过渡金属氧化物层。本发明还涉及一种采用该二维金属/氧化物异质结的传感器。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	清华大学
发明人：	王博伦;王学雯;刘锴
专利状态：	有效
申请日期：	2019-01-28T00:00:00+0800
发布日期：	2019-04-23T00:00:00+0800
申请号：	CN201910082456.X
公开号：	CN109668942A
代理机构：	深圳市鼎言知识产权代理有限公司
代理人：	张利杰
分类号：	G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	100084 北京市海淀区北京100084-82信箱
主权项：	1.一种二维金属/氧化物异质结，其包括二维过渡金属氧化物层和金属性二维过渡金属硫属化合物层，其特征在于，所述二维过渡金属氧化物层和金属性二维过渡金属硫属化合物层在同一二维材料面内形成异质结。 2.如权利要求1所述的二维金属/氧化物异质结，其特征在于，所述二维过渡金属氧化物层为Nb2O5层，所述金属性二维过渡金属硫属化合物层为NbS2层。 3.如权利要求2所述的二维金属/氧化物异质结，其特征在于，所述二维金属/氧化物异质结为NbS2-Nb2O5-NbS2异质结。 4.如权利要求2所述的二维金属/氧化物异质结，其特征在于，所述Nb2O5层的厚度小于所述NbS2层的厚度。 5.一种传感器，其包括二维金属/氧化物异质结，以及间隔设置的第一金属电极和第二金属电极，其特征在于，所述二维金属/氧化物异质结包括：二维过渡金属氧化物层以及分别位于所述二维过渡金属氧化物层两边的在同一二维材料面内的第一金属性二维过渡金属硫属化合物层和第二金属性二维过渡金属硫属化合物层；所述第一金属电极与所述第一金属性二维过渡金属硫属化合物层电连接，且所述第二金属电极与所述第二金属性二维过渡金属硫属化合物层电连接。 6.如权利要求5所述的传感器，其特征在于，所述二维过渡金属氧化物层为Nb2O5层，所述第一金属性二维过渡金属硫属化合物层和第二金属性二维过渡金属硫属化合物层为NbS2层。 7.一种二维金属/氧化物异质结的制备方法，该方法包括以下步骤：提供金属性二维过渡金属硫属化合物层；以及在含氧气氛中，采用激光局部加热该金属性二维过渡金属硫属化合物层，使得该金属性二维过渡金属硫属化合物层的一部分转化为二维过渡金属氧化物层。 8.如权利要求7所述的二维金属/氧化物异质结的制备方法，其特征在于，所述金属性二维过渡金属硫属化合物层为通过化学气相沉积法生长在基底表面的NbS2层，激光局部加热后，所述NbS2层部分转化为Nb2O5层。 9.如权利要求7所述的二维金属/氧化物异质结的制备方法，其特征在于，所述激光的功率为10mW-50mW，所述激光的扫描速度为0.1微米/秒-1微米/秒。 10.如权利要求7所述的二维金属/氧化物异质结的制备方法，其特征在于，所述含氧气氛为空气。
所属类别：	发明专利