专利名称: |
一种描述页岩裂缝-孔隙流体自吸的方法 |
摘要: |
本发明公开了一种描述页岩裂缝‑孔隙流体自吸的方法,包括如下步骤:假设有一理想圆柱体页岩岩样,圆柱体在端面中心发育一条贯穿平板裂缝,岩样的一端面与自吸流体充分接触,使其在无外加流体压力的条件下发生流体自吸;当自吸时间为t时,该页岩岩样总流体自吸质量S(t)包括三个部分,接触端面自吸进入页岩基块孔隙的自吸流体质量Sm(t)、自吸进入裂缝并储存于裂缝中的自吸流体质量Sf(t)和进入裂缝并通过裂缝壁面再自吸进入基块孔隙的自吸流体质量Sf‑m(t),分别计算出Sm(t)、Sf(t)、Sf‑m(t),相加得到S(t)。本发明建立了一种新的同时考虑页岩裂缝和纳米孔隙效应的流体自吸新模型,提升模型对页岩中流体自吸过程的描述和预测精度。 |
专利类型: |
发明专利 |
申请人: |
成都理工大学 |
发明人: |
杨斌;张浩;何志君;王旭东;邓菱璐;章江;潘冠昌 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
1900-01-20T00:00:00+0805 |
发布日期: |
1900-01-20T00:00:00+0805 |
申请号: |
CN201911420898.7 |
公开号: |
CN111060420A |
代理机构: |
北京中索知识产权代理有限公司 |
代理人: |
房立普 |
分类号: |
G01N5/02;G01N33/24;G;G01;G01N;G01N5;G01N33;G01N5/02;G01N33/24 |
申请人地址: |
610000 四川省成都市二仙桥东三路1号 |
主权项: |
1.一种描述页岩裂缝-孔隙流体自吸的方法,它包括以下步骤: S1、假设有一直径为d,长度为L的理想圆柱体页岩岩样,且沿圆柱体长轴方向在端面中心发育一条缝宽w的贯穿平板裂缝,其中w<
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所属类别: |
发明专利 |