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原文传递半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置与方法

专利名称：	半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置与方法
摘要：	本发明公开一种半导体晶粒相邻面同时准等光程成像共焦检测的新方法，其中检测装置包括在光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、半透半反射合像器、半导体晶粒和用于承置半导体晶粒的透明载物台，在半导体晶粒与半透半反射合像器之间的光路上分别设有第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜，第二直角转像棱镜位于远心成像镜头光轴的第一侧部，两个直角转像棱镜各自的两个直角面均与光路垂直，半导体晶粒的至少两个面分别经直角转像棱镜、半透半反射合像器以双光路成像在相机传感器面上不同的区域位置。本发明优点：可获得晶粒相邻面准等光程共焦成像且等照度照明的检测；相邻面双像之间的距离大小△可调整。
专利类型：	发明专利
申请人：	泉州师范学院
发明人：	廖廷俤;陈武;付宝玉
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T12:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T01:00:00+0805
申请号：	CN202010171706.X
公开号：	CN111089840A
代理机构：	福州元创专利商标代理有限公司
代理人：	林捷;蔡学俊
分类号：	G01N21/01;G01N21/95;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/01;G01N21/95
申请人地址：	362000 福建省泉州市丰泽区东海大街398号
主权项：	1.一种半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：包括在光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、半透半反射合像器、半导体晶粒和用于承置半导体晶粒的透明载物台，在半导体晶粒与半透半反射合像器之间的光路上分别设有第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜，第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜位于半导体晶粒的周侧部，第一直角转像棱镜和半透半反射合像器位于远心成像镜头的光轴上，且半透半反射合像器与光轴倾斜设置，第二直角转像棱镜位于远心成像镜头光轴的第一侧部，两个直角转像棱镜各自的两个直角面均与光路垂直，半导体晶粒的两个相邻面分别经直角转像棱镜、半透半反射合像器以双光路成像在相机传感器面上不同的区域位置。 2.根据权利要求1所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：所述半透半反射合像器由反射透射双区合像器替换。 3.根据权利要求1所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：所述半透半反射合像器由立方分束器替换。 4.根据权利要求1或2所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：所述装置设有照明光源，照明光源为位于远心成像镜头外的同轴外置照明光源；或者照明光源为内置于远心成像镜头内的同轴内置照明光源。 5.根据权利要求3所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：所述装置设有照明光源与背光照明光源，同轴外置照明光源位于远心成像镜头光轴的第二侧部，以及背光照明光源位于半导体晶粒的侧部和透明载物台的下方。 6.根据权利要求1所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：所述第一直角转像棱镜位于半导体晶粒的一侧部，第二直角转像棱镜位于半导体晶粒的天面上方。 7.根据权利要求1所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：所述第一直角转像棱镜位于半导体晶粒的一侧部，第二直角转像棱镜位于半导体晶粒底面的透明载物台的下方。 8.一种半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新方法，其特征在于：所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置包括在光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、半透半反射合像器、半导体晶粒和用于承置半导体晶粒的透明载物台，在半导体晶粒与半透半反射合像器之间的光路上分别设有第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜，第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜位于半导体晶粒的周侧部，第一直角转像棱镜和半透半反射合像器位于远心成像镜头的光轴上，且半透半反射合像器与光轴倾斜设置，第二直角转像棱镜位于远心成像镜头光轴的第一侧部，两个直角转像棱镜各自的两个直角面均与光路垂直，半导体晶粒的至少两个面分别经直角转像棱镜、半透半反射合像器以双光路成像在相机传感器面上不同的区域位置；工作时，被照明的半导体晶粒的侧面经过第一直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过半透半反射合像器的透射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的左半区域上；对于半导体晶粒的天面或底面，经过第二直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过半透半反射合像器的反射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的右半区域上；从相机的成像面上也同时得到半导体晶粒的侧面与天面或底面的像，且半导体晶粒侧面的像与半导体晶粒天面或底面的像之间相隔一个小间距。 9.根据权利要求8所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新方法，其特征在于：所述半透半反射合像器由反射透射双区合像器替换；工作时，被照明的半导体晶粒的侧面经过第一直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过反射透射双区合像器的透射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的左半区域上；对于半导体晶粒的天面或底面，经过第二直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过反射透射双区合像器的反射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的右半区域上；从相机的成像面上也同时得到半导体晶粒的侧面与天面或底面的像，且半导体晶粒侧面的像与半导体晶粒天面或底面的像之间相隔一个小间距。 10.根据权利要求8所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新方法，其特征在于：所述半透半反射合像器由反射透射双区合像器替换；工作时，被照明的半导体晶粒的侧面经过第一直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过立方分束器的透射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的左半区域上；对于半导体晶粒的天面或底面，经过第二直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过立方分束器的反射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的右半区域上；从相机的成像面上也同时得到半导体晶粒的侧面与天面或底面的像，且半导体晶粒侧面的像与半导体晶粒天面或底面的像之间相隔一个小间距。
所属类别：	发明专利