专利名称: |
基于石墨烯的空间原子氧注量探测方法 |
摘要: |
本申请公开了一种基于石墨烯的空间原子氧注量探测方法,将石墨烯膜附着在聚酰亚胺背面,在石墨烯膜的两端设置电极;将所述聚酰亚胺基底暴露在原子氧环境中,当所述聚酰亚胺基底被完全剥蚀后,石墨烯也会马上被剥蚀掉,位于所述石墨烯膜上的电路断路;因为石墨烯膜与原子氧的反应时间极短,因此测算所述石墨烯膜上的电路断路所需的时长,即可得到所述聚酰亚胺基底被完全剥蚀的时间t;原子氧在t时间内的注量Ф=d/k,聚酰亚胺基底的原子氧剥蚀率k和聚酰亚胺基底的厚度d已知,聚酰亚胺基底厚可以根据探测需要进行灵活设置,使得该探测方法适于不同寿命航天器原子氧探测任务的需求。 |
专利类型: |
发明专利 |
申请人: |
北京卫星环境工程研究所 |
发明人: |
杨晓宁;刘宇明;李蔓;田东波;王志浩;沈自才;姜海富 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
1900-01-20T03:00:00+0805 |
发布日期: |
1900-01-20T15:00:00+0805 |
申请号: |
CN202010004350.0 |
公开号: |
CN111157585A |
分类号: |
G01N27/04;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/04 |
申请人地址: |
100094 北京市海淀区友谊路104号 |
主权项: |
1.一种基于石墨烯的空间原子氧注量探测方法,其特征在于,所述方法包括: 将石墨烯膜附着在聚酰亚胺背面,在所述石墨烯膜的两端设置电极; 将所述聚酰亚胺基底暴露在原子氧环境中,当所述聚酰亚胺基底被完全剥蚀后,位于所述石墨烯膜上的电路断路; 测算所述石墨烯膜上的电路断路所需的时长,得到所述聚酰亚胺基底被完全剥蚀的时间t; 原子氧在t时间内的注量Ф=d/k,其中k为聚酰亚胺基底的原子氧剥蚀率,d为所述聚酰亚胺基底的厚度。 2.根据权利要求1所述的基于石墨烯的空间原子氧注量探测方法,其特征在于,所述石墨烯膜的厚度小于5nm。 3.根据权利要求1或2所述的基于石墨烯的空间原子氧注量探测方法,其特征在于,所述聚酰亚胺基底的厚度为1μm-1000μm。 4.根据权利要求1所述的基于石墨烯的空间原子氧注量探测方法,其特征在于,将单层或者多层的石墨烯膜附着在聚酰亚胺或其他有机聚合物背面包括: 在生长了石墨烯膜的铜基底上涂覆聚甲基丙烯酸甲酯; 待所述聚甲基丙烯酸甲酯固化后将所述铜基底腐蚀掉; 将所述石墨烯膜设有所述聚甲基丙烯酸甲酯的一面与所述聚酰亚胺基底的背面贴合,清洗掉所述聚甲基丙烯酸甲酯。 5.根据权利要求1或4所述的基于石墨烯的空间原子氧注量探测方法,其特征在于,在所述石墨烯膜上设置电极包括:将附有所述石墨烯膜的聚酰亚胺基底剪裁成长条状单元,在所述长条状单元的两端镀电极,或者将电极压紧于所述长条状单元的两端。 6.根据权利要求5所述的基于石墨烯的空间原子氧注量探测方法,其特征在于,所述长条状单元的长为5cm,宽为2cm。 |
所属类别: |
发明专利 |