专利名称: |
具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物及其检测方法 |
摘要: |
本发明提供了一种具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物及其检测方法,所述表面增强拉曼底物包括具有微坑阵列的半导体基板和沉积在所述半导体基板的微坑阵列上的厚度为40~300nm的银薄膜,其中,所述微坑阵列是通过纳秒到飞秒的激光脉冲照射半导体基板形成,微坑阵列中每个微坑的直径为10~20μm,且任意两个相邻微坑的外边缘之间的距离不超过所述直径的1/6,微坑阵列具有粒径为40~90nm的多个纳米凸起点。本发明具有良好的润湿性,接触角约为150°同时表面增强拉曼散射的增强因子可以达到1.3×107,足以检测分子水平;能够在生物药物、农药残留物和受环境污染的超低浓度溶液的检测中具有广阔的应用前景。 |
专利类型: |
发明专利 |
申请人: |
西南科技大学 |
发明人: |
李晓红;程辉;李国强;肖林;方佳浩;唐晓轩;马浩宇;李青山;谭诗莹 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
1900-01-20T19:00:00+0805 |
发布日期: |
1900-01-20T19:00:00+0805 |
申请号: |
CN202010194606.9 |
公开号: |
CN111175285A |
代理机构: |
成都中玺知识产权代理有限公司 |
代理人: |
邢伟;熊礼 |
分类号: |
G01N21/65;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/65 |
申请人地址: |
621000 四川省绵阳市涪城区青龙大道59号西南科技大学 |
主权项: |
1.一种具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物,其特征在于,所述表面增强拉曼底物包括具有微坑阵列的半导体基板和沉积在所述半导体基板的微坑阵列上的厚度为40~300nm的银薄膜,其中, 所述微坑阵列是通过纳秒到飞秒的激光脉冲照射半导体基板而形成,所述微坑阵列中每个微坑的直径为10~20μm,且任意两个相邻微坑的外边缘之间的距离不超过所述直径的1/6,所述微坑阵列具有粒径为40~90nm的多个纳米凸起点。 2.根据权利要求1所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物,其特征在于,所述微坑阵列中每个微坑的直径为13~17μm,且任意两个相邻微坑的外边缘之间的距离在零至所述直径的1/10,所述纳米凸起点的粒径为65~85nm。 3.根据权利要求1所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物,其特征在于,所述银薄膜的厚度为100~180nm。 4.根据权利要求1所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物,其特征在于,所述微坑阵列中的每个微坑对应的纳秒到飞秒的激光脉冲的脉冲数在8~40的范围选择。 5.根据权利要求4所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物,其特征在于,所述纳秒到飞秒的激光脉冲的功率为3~10mW。 6.根据权利要求1所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物,其特征在于,所述银薄膜通过磁控溅射沉积形成。 7.根据权利要求1所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物,其特征在于,所述半导体基板为纯度达99.9%以上的硅基底或二氧化硅基底。 8.一种拉曼检测方法,其特征在于,所述拉曼检测方法以权利要求1至6中任意一项所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物作为盛放待测对象的底物。 9.根据权利要求8所述的拉曼检测方法,其特征在于,所述待测对象为生物药物、农药残留物或受环境污染的超低浓度溶液。 |
所属类别: |
发明专利 |