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一种基于电磁周期结构阻抗特性判别透过率性能的方法
| 专利名称： | 一种基于电磁周期结构阻抗特性判别透过率性能的方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于电磁周期结构阻抗特性判别透过率性能的简易方法。技术方案是：首选，在归一化阻抗实部和虚部坐标系下绘制若干典型透过率的曲线值，将平面划分为不同透过率值的区间，用于电磁周期结构透过率的判断。再将电磁周期结构的归一化阻抗值标记在具有不同透过率的圆图上，即可得到电磁周期结构的透过率。本发明将阻抗特性和透过率之间的计算转化为坐标系中的标记读数的直观方法，简化了工作量，可以更加方便的应用于具有不同透过率的电磁周期结构设计。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 发明人： | 郭敏;付云起;桑迪;陈强;郑月军;林沂;袁方;郭田田 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 1900-01-20T12:00:00+0805 |
| 发布日期： | 1900-01-20T00:00:00+0805 |
| 申请号： | CN202010029077.7 |
| 公开号： | CN111208171A |
| 代理机构： | 国防科技大学专利服务中心 |
| 代理人： | 王文惠 |
| 分类号： | G01N27/02;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/02 |
| 申请人地址： | 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号 |
| 主权项： | 1.一种基于电磁周期结构阻抗特性判别透过率性能的方法，已知电磁周期结构的阻抗值Zp，并且Zp＝Rp+jXp；Rp和Xp分别为阻抗值的实部和虚部； 其特征在于， 利用下式对阻抗值进行归一化： 其中，Z0为自由空间的波阻抗； 在归一化的阻抗实部和虚部坐标系下绘制若干透过率为T对应的圆曲线，圆曲线的表达式如下： 其中，为上述坐标系的横坐标轴变量，表示归一化的电磁周期结构的阻抗实部的取值，为上述坐标系的纵坐标轴变量，表示归一化的电磁周期结构的阻抗虚部的取值；R0＝T/2(1-T)，半径T的取值根据实际情况确定； 阻抗值Zp所在上述坐标系下的区域，对应的透过率T的取值即为该电磁周期结构的透过率。 2.一种设计电磁周期结构阻抗特性透过率的方法，其特征在于， 如果设计透过率要求大于T，则或即可； 其中，Rrm＝R0+r，R0＝T/2(1-T)，为电磁周期结构阻抗特性的实部；为电磁周期结构阻抗特性的虚部。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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