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原文传递湿度传感器及其制备方法、非接触式控制屏及应用

专利名称：	湿度传感器及其制备方法、非接触式控制屏及应用
摘要：	一种湿度传感器及其制备方法、非接触式控制屏及应用，该湿度传感器的制备方法包括在衬底上制备交指电极；在制备有交指电极的衬底上制备湿敏材料，即得到所述湿度传感器。本发明所采用的制备MoO3纳米片的方法具有产率高、操作简单、成本极低的优点；目前市面上的非接触式控制屏或控制开关以电容式或红外传感为主，且以刚性屏幕为主，而本发明首次利用造价更为便宜且性能优异的湿度传感器和柔性PET衬底构筑基于湿度传感器阵列的透明柔性非接触控制屏，拓宽了非接触控制屏的应用潜力和应用范围。
专利类型：	发明专利
申请人：	中国科学院半导体研究所
发明人：	杨珏晗;史瑞龙;沈国震;娄正
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T16:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T03:00:00+0805
申请号：	CN201911299655.2
公开号：	CN110954578A
代理机构：	中科专利商标代理有限责任公司
代理人：	吴梦圆
分类号：	G01N27/12;G06F3/01;G06F21/36;H03K17/945;G;H;G01;G06;H03;G01N;G06F;H03K;G01N27;G06F3;G06F21;H03K17;G01N27/12;G06F3/01;G06F21/36;H03K17/945
申请人地址：	100083 北京市海淀区清华东路甲35号
主权项：	1.一种湿度传感器的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备交指电极；在制备有交指电极的衬底上制备湿敏材料，即得到所述湿度传感器。 2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述湿敏材料包括三氧化钼纳米片。 3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述三氧化钼纳米片的制备方法，包括：将四水合七钼酸氨溶于去离子水中，之后加入硝酸溶液进行水热反应，水热反应结束后得将到的白色粉末退火后即得到所述三氧化钼纳米片。 4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述四水合七钼酸氨的浓度为0.7至1.1g/mL；所述硝酸溶液的浓度为4至5mol/L；所述水热反应的反应温度为150至200℃；所述水热反应的反应时间为150至210分钟；所述退火步骤的退火温度为430至500℃、退火时间为20至40分钟；所述退火步骤前还包括先将得到的白色粉末清洗、烘干后再退火。 5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的交指电极采用的材料包括氧化铟锡、Au、Ag、Cu中的至少一种；所述衬底采用的材料包括柔性PET、PI、PEN中的至少一种；所述衬底为透明衬底。 6.根据权利要求1所述制备的方法，其特征在于，在衬底上制备所述交指电极的步骤包括：在衬底上沉积底层交指电极；在底层交指电极上沉积绝缘层；在绝缘层上沉积顶层交指电极；其中，所述绝缘层采用的材料包括三氧化二铝；所述绝缘层的厚度为40至60nm；所述底层交指电极和顶层交指电极的厚度均为40至60nm。 7.一种湿度传感器，采用如权利要求1至6任一项所述的制备方法得到。 8.一种非接触式控制屏，内含有如权利要求7所述的湿度传感器。 9.根据权利要求8所述的非接触式控制屏，其特征在于，所述非接触式控制屏的响应时间为0.4至0.6秒；所述非接触式控制屏的相对湿度变化从0％至100％时，非接触式控制屏的电阻减小至少105量级；所述非接触式控制屏的透射率大于等于80％。 10.如权利要求7所述的湿度传感器或如权利要求8或9所述的非接触式控制屏在柔性电子器件领域的应用。
所属类别：	发明专利