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一种基于脉冲涡流的导电材料缺陷高精度成像检测方法
| 专利名称： | 一种基于脉冲涡流的导电材料缺陷高精度成像检测方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于脉冲涡流的导电材料缺陷高精度成像检测方法，一、在待检测导电材料表面的激励磁场均匀区内阵列化地设置两行磁传感器，第二行传感器设置在第一行传感器的间隙位置；二、利用配置测距轮的速度编码器在扫描检测过程中给磁传感器阵列发送采集指令；三、利用等空间插值方法将所采集的磁传感器信号进行处理获得所检测区域的磁场特征图像；本发明能够实现导电材料缺陷的高精度成像检测。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 发明人： | 银鸿;文轩;杨生胜;王鹢;李存惠;王俊;庄建宏 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 1900-01-20T00:00:00+0805 |
| 发布日期： | 1900-01-20T08:00:00+0805 |
| 申请号： | CN201911363034.6 |
| 公开号： | CN111122697A |
| 代理机构： | 北京理工大学专利中心 |
| 代理人： | 田亚琪 |
| 分类号： | G01N27/90;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/90 |
| 申请人地址： | 730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号 |
| 主权项： | 1.一种基于脉冲涡流的导电材料缺陷高精度成像检测方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、在待检测导电材料表面的激励磁场均匀区内阵列化地设置两行磁传感器，第二行传感器设置在第一行传感器的间隙位置； 步骤二、利用配置测距轮的速度编码器在扫描检测过程中给磁传感器阵列发送采集指令； 步骤三、利用等空间插值方法将所采集的磁传感器信号进行处理获得所检测区域的磁场特征图像； 所述等空间插值方法为： 在检测时刻ti，i＝1，2，...；数据采集系统获得N个通道的磁传感器差分信号以及当前的检测位置si，其中，差分信号由磁传感器当前采集信号与无缺陷的信号差分所得，检测位置si由测距轮和速度编码器获得，提取每通道差分信号峰值为第j个磁传感器在ti时刻的差分信号峰值，组成N维特征向量设定最终生成的磁场特征图像空间分辨率a，则所生成图像的列像素点为m＝p/a+1，p为磁传感器阵列长度，采用一维线性插值法将Vi插值为m维向量Vi′；同理，在下一个检测时刻ti+1，获得m维特征向量Vi+1′及检测位置si+1，则相邻检测时刻的探头位移为Δsi＝si+1-si；将检测时刻ti、ti+1的m维特征向量Vi′、Vi+1′组合为m×2维的特征矩阵Ai，利用双线性插值法将Ai扩展为m×ni维特征矩阵Ai′，其中ni＝Δsi/a+1；假定扫描完成后共进行k次检测，则按上述插值方法获得最终的特征矩阵为： C＝[A′1，A′2，...，A′k] 将特征矩阵C转换为相应的灰度矩阵或颜色矩阵，使特征矩阵元素与像素灰度值或像素颜色值对应，从而得到检测区域的磁场特征图像。 2.如权利要求1所述的一种基于脉冲涡流的导电材料缺陷高精度成像检测方法，其特征在于，所述磁传感器为TMR磁传感器。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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