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原文传递一种羟基氧化铁-MoS2纳米杂化材料及其制备方法、适体传感器用电极、适体传感器

专利名称：	一种羟基氧化铁-MoS2纳米杂化材料及其制备方法、适体传感器用电极、适体传感器
摘要：	本发明属于纳米杂化材料技术领域，具体涉及一种羟基氧化铁‑MoS2纳米杂化材料及其制备方法、适体传感器用电极、适体传感器。该羟基氧化铁‑MoS2纳米杂化材料包括羟基氧化铁纳米棒和生长在其表面的MoS2纳米片，所述MoS2纳米片由磷钼酸水合物与硫代乙酰胺进行溶剂热反应得到。本发明的羟基氧化铁‑MoS2纳米杂化材料中，MoS2纳米片垂直生长在棒状β‑FeOOH基体上，形成组分均匀的纳米杂化多组分结构，基于该纳米杂化材料获得的miRNA‑21生物传感器具有优异的传感性能、高灵敏度、优异的稳定性和再现性、高选择性以及可行性。
专利类型：	发明专利
申请人：	郑州轻工业大学
发明人：	张治红;胡彬;黄顺江;何领好;王明花;崔静;宋英攀;贾巧娟
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T00:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T14:00:00+0805
申请号：	CN201911379603.6
公开号：	CN111007128A
代理机构：	郑州睿信知识产权代理有限公司
代理人：	胡云飞
分类号：	G01N27/327;G01N33/531;G01N33/53;G;G01;G01N;G01N27;G01N33;G01N27/327;G01N33/531;G01N33/53
申请人地址：	450000 河南省郑州市金水区东风路5号
主权项：	1.一种羟基氧化铁-MoS2纳米杂化材料，其特征在于，包括羟基氧化铁纳米棒和生长在其表面的MoS2纳米片，所述MoS2纳米片由磷钼酸水合物与硫代乙酰胺进行溶剂热反应得到。 2.如权利要求1所述的羟基氧化铁纳米棒-MoS2纳米片纳米杂化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将羟基氧化铁纳米棒、磷钼酸水合物、硫代乙酰胺和溶剂组成的混合液进行溶剂热反应，即得。 3.根据权利要求2所述的羟基氧化铁纳米棒-MoS2纳米片纳米杂化材料的制备方法，其特征在于，羟基氧化铁纳米棒、磷钼酸水合物、硫代乙酰胺的质量比为(1～4):1:1。 4.根据权利要求2所述的羟基氧化铁纳米棒-MoS2纳米片纳米杂化材料的制备方法，其特征在于，反应温度为180～220℃。 5.根据权利要求2所述的羟基氧化铁纳米棒-MoS2纳米片纳米杂化材料的制备方法，其特征在于，反应时间为8～16h。 6.根据权利要求2所述的羟基氧化铁纳米棒-MoS2纳米片纳米杂化材料的制备方法，其特征在于，所述混合液是将羟基氧化铁纳米棒、磷钼酸水合物的水溶液、硫代乙酰胺的甲醇溶液混合得到。 7.根据权利要求1-6中任一项所述的羟基氧化铁纳米棒-MoS2纳米片纳米杂化材料的制备方法，其特征在于，所述羟基氧化铁纳米棒由氯化铁与葡萄糖进行溶剂热反应得到，反应的温度为150～180℃，反应时间为5～8h。 8.一种适体传感器用电极，其特征在于，所述适体传感器用电极包括电极基体以及电极基体表面的电极修饰材料，所述电极修饰材料为权利要求1所述的羟基氧化铁-MoS2纳米杂化材料。 9.一种适体传感器，其特征在于，包括电极基体、电极表面的电极修饰材料以及固定在电极修饰材料上的核酸适体，所述电极修饰材料为权利要求1所述的羟基氧化铁-MoS2纳米杂化材料。 10.根据权利要求9所述的适体传感器，其特征在于，所述核酸适体为miRNA-21的互补DNA。
所属类别：	发明专利