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原文传递 陶瓷成形体的介电干燥方法及装置和陶瓷结构体制造方法
专利名称: 陶瓷成形体的介电干燥方法及装置和陶瓷结构体制造方法
摘要: 本发明提供一种陶瓷成形体的介电干燥方法,能够抑制载置于干燥承载台的多个陶瓷成形体在与输送方向垂直的排列方向上的干燥状态的偏差。一种陶瓷成形体的介电干燥方法,将沿与输送方向垂直的排列方向排列载置于干燥承载台的上表面的多个陶瓷成形体输送到上部电极与下部电极的电极间,通过在所述电极间施加高频来使所述陶瓷成形体干燥。上部电极在排列方向上具备中央区域和夹着中央区域的两个端部区域。中央区域具有与陶瓷成形体的上端面平行的平面部。两个端部区域具有向下部电极侧倾斜的倾斜部。在将中央区域与陶瓷成形体间的最短距离设为L1、将两个端部区域的端部与陶瓷成形体间的最短距离设为L2的情况下,L2/L1为0~1.70。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 日本;JP
申请人: 日本碍子株式会社
发明人: 夫马义将;田岛裕一;近藤好正;奥村健介
专利状态: 有效
申请日期: 2021-08-13T00:00:00+0800
发布日期: 2022-03-11T00:00:00+0800
申请号: CN202110929916.5
公开号: CN114161562A
代理机构: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人: 龚敏;王刚
分类号: B28B11/24;B;B28;B28B;B28B11;B28B11/24
申请人地址: 日本国爱知县名古屋市
主权项: 1.一种陶瓷成形体的介电干燥方法,将沿与输送方向(X)垂直的排列方向(Y)排列载置于干燥承载台的上表面的多个陶瓷成形体输送到上部电极与下部电极的电极间,通过在所述电极间施加高频来使所述陶瓷成形体干燥,其中, 所述上部电极在所述排列方向(Y)上具备中央区域和夹着所述中央区域的两个端部区域, 所述中央区域具有与所述陶瓷成形体的上端面平行的平面部, 所述两个端部区域具有向下部电极侧倾斜的倾斜部, 在将所述中央区域与所述陶瓷成形体之间的最短距离设为L1、且将所述两个端部区域的端部与所述陶瓷成形体之间的最短距离设为L2的情况下,L2/L1为0~1.70。 2.根据权利要求1所述的陶瓷成形体的介电干燥方法,其中, 所述两个端部区域的倾斜的起点在所述排列方向(Y)上位于与两端的所述陶瓷成形体的外端相同的位置,或者位于比所述外端更靠外侧。 3.根据权利要求1所述的陶瓷成形体的介电干燥方法,其中, 在所述陶瓷成形体的上端面载置有辅助电极,所述L1是所述中央区域与所述辅助电极之间的最短距离,所述L2是所述两个端部区域的端部与所述辅助电极之间的最短距离。 4.根据权利要求3所述的陶瓷成形体的介电干燥方法,其中, 所述两个端部区域的倾斜的起点在所述排列方向(Y)上位于与两端的所述辅助电极的外端相同的位置,或者位于比所述外端更靠外侧。 5.根据权利要求1至4中任一项所述的陶瓷成形体的介电干燥方法,其中, 所述L2/L1为0~0.70。 6.根据权利要求1至5中任一项所述的陶瓷成形体的介电干燥方法,其中, 所述两个端部区域相对于所述中央区域的平坦部的倾斜角为30~90°。 7.根据权利要求1至6中任一项所述的陶瓷成形体的介电干燥方法,其中, 在铅垂方向(Z)上,所述两个端部区域的端部与所述陶瓷成形体或在载置有所述辅助电极的情况下与所述辅助电极之间的最短距离(L3)为-50~50mm。 8.根据权利要求1至7中任一项所述的陶瓷成形体的介电干燥方法,其中, 所述陶瓷成形体的含水率为1~60%。 9.根据权利要求1至8中任一项所述的陶瓷成形体的介电干燥方法,其中, 所述陶瓷成形体是具备划分形成从第一端面延伸至第二端面的多个孔格的隔壁的蜂窝成形体。 10.一种陶瓷结构体的制造方法,包括权利要求1至9中任一项所述的陶瓷成形体的介电干燥方法。 11.一种陶瓷成形体的介电干燥装置,其具备: 上部电极; 下部电极;以及 输送单元,其能够将沿与输送方向(X)垂直的排列方向(Y)排列载置于干燥承载台的上表面的多个陶瓷成形体输送到所述上部电极与所述下部电极的电极间, 所述上部电极在所述排列方向(Y)上具备中央区域和夹着所述中央区域的两个端部区域, 所述中央区域具有与所述陶瓷成形体的上端面平行的平面部, 所述两个端部区域具有向下部电极侧倾斜的倾斜部, 在将所述中央区域与所述陶瓷成形体之间的最短距离设为L1、且将所述两个端部区域的端部与所述陶瓷成形体之间的最短距离设为L2的情况下,L2/L1为0~1.70。 12.根据权利要求11所述的陶瓷成形体的介质干燥装置,其中, 所述两个端部区域的倾斜的起点在所述排列方向(Y)上位于与两端的所述陶瓷成形体的外端相同的位置,或者位于比所述外端更靠外侧。 13.根据权利要求11所述的陶瓷成形体的介电干燥装置,其中, 在所述陶瓷成形体的上端面载置有辅助电极,所述L1是所述中央区域与所述辅助电极之间的最短距离,所述L2是所述两个端部区域的端部与所述辅助电极之间的最短距离。 14.根据权利要求13所述的陶瓷成形体的介电干燥装置,其中, 所述两个端部区域的倾斜的起点在所述排列方向(Y)上位于与两端的所述辅助电极的外端相同的位置,或者位于比所述外端更靠外侧。 15.根据权利要求11至14中任一项所述的陶瓷成形体的介电干燥装置,其中, 所述L2/L1为0~0.70。 16.根据权利要求11至15中任一项所述的陶瓷成形体的介电干燥装置,其中, 所述两个端部区域相对于所述中央区域的平坦部的倾斜角为30~90°。 17.根据权利要求11至16中任一项所述的陶瓷成形体的介电干燥装置,其中, 在铅垂方向(Z)上,所述两个端部区域的端部与所述陶瓷成形体或在载置有所述辅助电极的情况下与所述辅助电极之间的最短距离(L3)为-50~50mm。
所属类别: 发明专利
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