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原文传递一种模拟晶界迁移的实验方法

专利名称：	一种模拟晶界迁移的实验方法
摘要：	本发明涉及一种模拟晶界迁移的实验方法，其特征在于：具体实验方法如下：S1：选取单晶样品；S2：单晶样品堆叠；S3：单晶样品旋转；S4：样品的裁切；以层叠式单晶高纯金属为对象，构建大体积样品下的真实多晶系统，在采用高压扭转工艺的基础上，筛选出在剪应力作用下能够发生迁移的晶界特征信息；这些特征信息使对剪切耦合一般晶界迁移机理的研究成为可能。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	南通爱尔思轻合金精密成型有限公司
发明人：	刘榆;杨勇飞;周素洪;刘勇;瞿峰
专利状态：	有效
申请日期：	2021-11-05T00:00:00+0800
发布日期：	2022-03-01T00:00:00+0800
申请号：	CN202111305541.1
公开号：	CN114112892A
代理机构：	北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	滑春生
分类号：	G01N19/00;G01N23/00;G;G01;G01N;G01N19;G01N23;G01N19/00;G01N23/00
申请人地址：	226100 江苏省南通市海门市四甲镇货隆工业园区
主权项：	1.一种模拟晶界迁移的实验方法，其特征在于：具体实验方法如下： S1：选取单晶样品：单晶样品选择采用圆盘状高纯单晶样品，且纯度大于99.9999wt%；样品的直径为10-20mm，样品的厚度为0.5-2mm；并标记出每片单晶的特定晶向； S2：单晶样品堆叠：将两片单晶样品层叠堆放，两片单晶样品所标记的特定晶向之间夹角为θ°，并将层叠的单晶样品放置入高压扭转设备的模具之中； S3：单晶样品旋转：通过高压扭转的方式，在低应变速率下对堆叠单晶样品施加剪切变形；高压扭转的旋转角度小从到大分为多组，覆盖不同的塑性变形量，最大旋转角度小于360°；层叠单晶样品在剪应力作用下逐渐发生塑性变形，圆盘边缘部分从单晶状态演变为晶粒度为几十到几百微米的晶粒； S4：样品的裁切：将样品从上层样品的标定晶向沿着直径切开，通过电子显微镜在圆盘的轴向截面边缘寻找越过上下层界面的晶界；此时迁移晶界周围为大体积样品下真实的多晶环境；以该状态下的晶界作为研究对象，收集它们的特征参数，为后续进一步的剪切耦合晶界迁移实验和模拟提供基础数据。 2.根据权利要求1所述的一种模拟晶界迁移的实验方法，其特征在于：所述S3中高压旋转工艺中采用的是平行于轴线方向施加压力，且压力大小为0.5-12GPa，绕着轴线进行旋转，且旋转速度为0.5 r/min。
所属类别：	发明专利