详情

原文传递双孔传感器

专利名称：	双孔传感器
摘要：	本公开内容的实施方式提供形成可用于生物聚合物测序的固态双孔传感器的方法和通过所述方法形成的双孔传感器。在一个实施方式中，一种双孔传感器具备：基板，所述基板具有图案化表面，所述图案化表面包括由分隔壁间隔开的两个凹陷区域；和膜片层，所述膜片层设置在所述图案化表面上。所述膜片层、所述分隔壁以及所述两个凹陷区域中的每一者的一个或多个表面共同地限定第一流体贮存器和第二流体贮存器。第一纳米孔穿过所述膜片层的设置在所述第一流体贮存器上方的部分设置，并且第二纳米孔穿过所述膜片层的设置在所述第二流体贮存器上方的部分设置。在本文中，所述分隔壁的相对表面倾斜，以各自与所述膜片层的相应的面向贮存器的表面形成小于90°的角度。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	美国;US
申请人：	应用材料公司
发明人：	约瑟夫·R·约翰逊;罗杰·奎恩;阿尔卡纳·库马尔;瑞恩·斯科特·史密斯;耶利米·赫比丁;拉加夫·斯里尼瓦桑
专利状态：	有效
申请日期：	2020-04-15T00:00:00+0800
发布日期：	2022-03-11T00:00:00+0800
申请号：	CN202080053950.4
公开号：	CN114174825A
代理机构：	北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人：	徐金国;赵静
分类号：	G01N33/487;G;G01;G01N;G01N33;G01N33/487
申请人地址：	美国加利福尼亚州
主权项：	1.一种双孔传感器，包括：基板，所述基板具有图案化表面，所述图案化表面包括由分隔壁间隔开的两个凹陷区域；和膜片层，所述膜片层设置在所述图案化表面上，其中所述膜片层、所述分隔壁以及所述两个凹陷区域中的每一者的一个或多个表面共同地限定第一流体贮存器和第二流体贮存器，第一纳米孔穿过所述膜片层的设置在所述第一流体贮存器上方的部分设置，第二纳米孔穿过所述膜片层的设置在所述第二流体贮存器上方的部分设置，并且所述分隔壁的相对表面倾斜，以各自与所述膜片层的相应的面向贮存器的表面形成小于90°的角度。 2.如权利要求1所述的双孔传感器，其中所述两个凹陷区域的所述面向贮存器的表面和所述分隔壁的所述相对表面包括介电材料。 3.如权利要求1所述的双孔传感器，其中所述第一纳米孔和所述第二纳米孔彼此间隔开小于约600nm的距离。 4.如权利要求1所述的双孔传感器，其中所述凹陷区域的深度与所述第一纳米孔和所述第二纳米孔的所述间距的比率大于约2:1。 5.如权利要求1所述的双孔传感器，其中所述基板包含单晶硅。 6.如权利要求1所述的双孔传感器，其中所述基板包含热氧化单晶硅。 7.如权利要求1所述的双孔传感器，其中所述膜片层由氮化硅形成，并且具有小于约100nm的厚度。 8.如权利要求1所述的双孔传感器，其中所述膜片层通过多个支撑结构与所述凹陷区域的一个或多个相应表面间隔开，并且所述支撑结构的一个或多个表面倾斜，以各自与所述膜片层的面向贮存器的表面形成小于90°的角度。 9.如权利要求8所述的双孔传感器，其中所述分隔壁的相对表面各自与所述膜片层的所述相应的面向贮存器的表面形成小于60°的角度。 10.如权利要求1所述的双孔传感器，进一步包括外涂层，所述外涂层设置在所述膜片层上，其中所述外涂层具有从中穿过设置的开口以形成共同腔室，并且其中所述共同腔室分别通过所述第一纳米孔和所述第二纳米孔与所述第一流体贮存器和所述第二流体贮存器中的每一者流体连通。 11.如权利要求10所述的双孔传感器，进一步包括一个或多个电极。 12.一种双孔传感器，包括：基板，所述基板具有图案化表面，所述图案化表面包括由分隔壁间隔开的两个凹陷区域；和膜片层，所述膜片层设置在所述图案化表面上，其中所述膜片层包含氮化硅，所述膜片层、所述分隔壁以及所述两个相应凹陷区域中的每一者的一个或多个表面共同地限定第一流体贮存器和第二流体贮存器，第一纳米孔穿过所述膜片层的设置在所述第一流体贮存器上方的部分设置，第二纳米孔穿过所述膜片层的设置在所述第二流体贮存器上方的部分设置，所述第一纳米孔与所述第二纳米孔间隔开小于600nm的距离，并且所述分隔壁的相对表面倾斜，以各自与所述膜片层的相应的面向贮存器的表面形成小于60°的角度。 13.如权利要求12所述的双孔传感器，其中所述两个凹陷区域的所述面向贮存器的表面和所述分隔壁的所述相对表面包括介电材料。 14.如权利要求12所述的双孔传感器，进一步包括外涂层，所述外涂层设置在所述膜片层上，所述外涂层具有从中穿过设置的开口以形成共同腔室，其中所述共同腔室分别通过所述第一纳米孔和所述第二纳米孔与所述第一流体贮存器和所述第二流体贮存器中的每一者流体连通。 15.一种双孔传感器，包括：基板，所述基板具有图案化表面，所述图案化表面包括由分隔壁间隔开的两个凹陷区域；膜片层，所述膜片层设置在所述图案化表面上，其中所述膜片层包含氮化硅，所述膜片层、所述分隔壁以及所述两个凹陷区域中的每一者的一个或多个表面共同地限定相应的第一流体贮存器和第二流体贮存器，第一纳米孔穿过所述膜片层的设置在所述第一流体贮存器上方的部分设置，第二纳米孔穿过所述膜片层的设置在所述第二流体贮存器上方的部分设置，所述第一纳米孔与所述第二纳米孔间隔开小于600nm的距离，并且所述分隔壁的相对表面倾斜，以各自与所述膜片层的相应的面向贮存器的表面形成小于60°的角度；和外涂层，所述外涂层设置在所述膜片层上，所述外涂层具有从中穿过设置的开口以形成共同腔室，其中所述共同腔室分别通过所述第一纳米孔和所述第二纳米孔与所述第一流体贮存器和所述第二流体贮存器中的每一者流体连通。
所属类别：	发明专利