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原文传递一种半片切割工艺

专利名称：	一种半片切割工艺
摘要：	本发明公开了一种半片切割工艺，包括如下步骤：将圆棒硅材切割出长方体硅材，并使长方体硅材的横截面与半片一致；采用胶水将长方体硅材并排拼粘固在载板上；对载板上的长方体硅材进行线切割，得到半片。本发明适用于210整棒的切割，并能降低发生崩边、缺角、隐裂、硅落等不良问题的概率，提高制程良率和硅片产能。本发明能防止线切割时因带屑不及时导致硅片出现亮片、脏污等问题。本发明还能防止粘棒时因胶水溢出而造成长方体硅材侧面被胶水脏污的问题。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	常州时创能源股份有限公司
发明人：	马琦雯;邓舜
专利状态：	有效
申请日期：	2023-09-07T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-24T00:00:00+0800
申请号：	CN202311150745.1
公开号：	CN117103474A
分类号：	B28D1/22;B28D5/00;B28D7/02;B28D7/00;B;B28;B28D;B28D1;B28D5;B28D7;B28D1/22;B28D5/00;B28D7/02;B28D7/00
申请人地址：	213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号
主权项：	1.一种半片切割工艺，其特征在于，包括如下步骤：将圆棒硅材切割出长方体硅材，并使长方体硅材的横截面与半片一致；采用胶水将长方体硅材并排拼粘固在载板上；对载板上的长方体硅材进行线切割，得到半片。 2.根据权利要求1所述的半片切割工艺，其特征在于，排拼粘固长方体硅材时，控制相邻两个长方体硅材之间的间距，使该间距利于线切割时的带屑。 3.根据权利要求2所述的半片切割工艺，其特征在于，将相邻两个长方体硅材之间的间距控制在1～2mm。 4.根据权利要求1所述的半片切割工艺，其特征在于，所述载板上设有溢胶槽；排拼粘固长方体硅材时，使溢胶槽处于相邻两个长方体硅材之间，通过溢胶槽收集该相邻两个长方体硅材之间溢出的胶水。 5.根据权利要求4所述的半片切割工艺，其特征在于，所述溢胶槽为通槽。 6.根据权利要求4所述的半片切割工艺，其特征在于，所述溢胶槽为槽口宽、槽底窄的梯形槽。 7.根据权利要求6所述的半片切割工艺，其特征在于，所述溢胶槽的槽口与槽底的宽度比为5:2。 8.根据权利要求1所述的半片切割工艺，其特征在于，所述圆棒硅材为单晶圆棒。 9.根据权利要求1所述的半片切割工艺，其特征在于，所述长方体硅材经过磨面倒角处理。 10.根据权利要求1所述的半片切割工艺，其特征在于，所述载板为塑料板。