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原文传递一种宽检测范围的荧光适体传感器及其制备方法和应用

专利名称：	一种宽检测范围的荧光适体传感器及其制备方法和应用
摘要：	本发明属于传感器领域，涉及ATP和AMP的检测，特别是指一种宽检测范围的荧光适体传感器及其制备方法和应用。利用AuNPs独特的光学性质及核酸适体的特异性，通过碱基T的数量控制AuNPs和FAM荧光基团之间的距离，设计了四种基于FRET效应的荧光猝灭型适体传感器，实现了对ATP的宽范围检测。通过对四种传感器的对比分析，发现碱基T数量越多，修饰到AuNPs表面的核酸适体越少，传感器的检测范围逐渐变窄，检测灵敏度逐渐升高；将ATP核酸适体更换为AMP核酸适体，成功实现对AMP检测，检测范围达到1nM‑50μM，验证了该传感器的普适性。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	河南;41
申请人：	郑州轻工业大学
发明人：	姜利英;任林娇;秦自瑞;张培;陈高凯;刘春秀;张庆芳;孙建海;陈青华;张吉涛
专利状态：	有效
申请日期：	2023-06-12T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-24T00:00:00+0800
申请号：	CN202310692969.9
公开号：	CN117110257A
代理机构：	郑州优盾知识产权代理有限公司
代理人：	冉珊敏
分类号：	G01N21/64;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/64
申请人地址：	450000 河南省郑州市高新技术产业开发区科学大道136号
主权项：	1.一种宽检测范围的荧光适体传感器的制备方法，其特征在于，步骤为：（1）采用柠檬酸钠还原氯金酸的方法制备AuNPs溶液，然后加入BSPP溶液，振荡培养反应得BSPP稳定保护的AuNPs溶液；（2）取PolyTn-Apt溶液和cDNA@FAM溶液等比例混合得混合溶液，在PBS缓冲液中反应得PolyTn-FAM@dsDNA溶液，其中n=0-36；（3）向步骤（2）的PolyTn-FAM@dsDNA溶液中加入步骤（1）的BSPP稳定保护的AuNPs溶液，混匀后振荡反应，然后加入NaCl溶液，继续恒温培养得含有AuNPs@PolyTn-FAM@dsDNA纳米结构的传感器工作溶液，即荧光适体传感器工作溶液。 2.根据权利要求1所述的宽检测范围的荧光适体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中AuNPs溶液的浓度为1nM，BSPP溶液的浓度为10mg/mL。 3.根据权利要求2所述的宽检测范围的荧光适体传感器的制备方法，其特征在于：所述振荡培养反应的时间为8h。 4. 根据权利要求1所述的宽检测范围的荧光适体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中PolyTn-Apt的序列如SEQ ID No.2、SEQ ID No.3、SEQ ID No.4、SEQ ID No.5、SEQ ID No.6、SEQ ID No.7、SEQ ID No.8、SEQ ID No.9、SEQ ID No.10、SEQ ID No.11或SEQ ID No.12中的任一项所示，cDNA@FAM的序列如SEQ ID No.13或SEQ ID No.14所示。 5. 根据权利要求4所述的宽检测范围的荧光适体传感器的制备方法，其特征在于：所述PolyTn-Apt溶液的浓度为 10μM，cDNA@FAM溶液的浓度为10μM，PBS缓冲液的pH=7.0-7.4；在PBS缓冲液中反应的温度为37℃、时间为3h。 6.根据权利要求1所述的宽检测范围的荧光适体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中PolyTn-FAM@dsDNA溶液与BSPP稳定保护的AuNPs溶液的体积比为1:2；加入NaCl溶液后整个反应体系中NaCl的终浓度为0.2M。 7.根据权利要求6所述的宽检测范围的荧光适体传感器的制备方法，其特征在于：所述振荡反应的的温度为37℃、时间为16h；恒温培养的温度为37℃、时间为12h。 8.利用权利要求1-7任一项所述的制备方法制得的荧光适体传感器。 9. 权利要求8所述的荧光适体传感器在检测ATP或AMP中的应用，其特征在于：检测ATP时荧光适体传感器中的PolyTn-Apt的序列如SEQ ID No.2、SEQ ID No.3、SEQ ID No.4、SEQID No.5、SEQ ID No.6、SEQ ID No.7、SEQ ID No.8、SEQ ID No.9、SEQ ID No.10或SEQ IDNo.11中的任一项所示，cDNA@FAM的序列如SEQ ID No.13所示；检测AMP时荧光适体传感器中的PolyTn-Apt的序列如SEQ ID No.12所示，cDNA@FAM的序列如SEQ ID No.14所示。 10. 根据权利要求9所述的应用，其特征在于，步骤为：向100μL荧光适体传感器工作溶液中加入等体积的待测溶液，再用pH=7.4的PBS缓冲液定容至600μL，37℃恒温孵育2h后进行荧光光谱检测；将荧光强度x代入公式为y=14.9439+14.7453Logx，计算得待测样品中ATP的浓度；或者将荧光强度x代入公式为y =45.7241+37.1901Logx，计算得待测样品中AMP的浓度；其中荧光光谱检测的温度在30℃，激发波长设为495nm。
所属类别：	发明专利