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原文传递一种PN结的扫描电镜测试方法

专利名称：	一种PN结的扫描电镜测试方法
摘要：	本发明涉及PN结测试技术领域，具体涉及一种PN结的扫描电镜测试方法，制备待测样品的步骤包括，将待测样品进行机械研磨，离子束研磨仪研磨，镀导电膜；制备所述待测样品的原料包括半导体材料；在用扫描电镜测试待测样品时，采用的加速电压为3~15kV；采用的工作距离为5~15mm；采用的聚光镜值为600~900；采用的束流为30~1000pA。使用本方法可清晰观察到PN结的形貌及结深，无需额外购置其他探测器，不破坏样品成分，环境友好，且能节省测样时间。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	北京中科科仪股份有限公司
发明人：	刘舒;孟祥良;王泓海;矫昱潇
专利状态：	有效
申请日期：	2023-09-28T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-07T00:00:00+0800
申请号：	CN202311267424.X
公开号：	CN117007625A
代理机构：	北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人：	周淑歌
分类号：	G01N23/2251;G01N23/2202;G;G01;G01N;G01N23;G01N23/2251;G01N23/2202
申请人地址：	100190 北京市海淀区中关村北二条13号
主权项：	1.一种PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于，制备待测样品的步骤包括，将待测样品进行机械研磨，离子束研磨仪研磨，镀导电膜；制备所述待测样品的原料包括半导体材料；用扫描电镜测试待测样品时，采用的加速电压为3~15kV；采用的工作距离为5~15mm；采用的聚光镜值为600~900；采用的束流为30~1000pA。 2.根据权利要求1所述的PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于，采用的加速电压为3~10kV；和/或，采用的工作距离为8~12mm；和/或，采用的聚光镜值为700~800；和/或，采用的束流为200~500pA。 3.根据权利要求1或2所述的PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于，镀导电膜使用的方法包括离子溅射镀膜法，所使用的靶材包括金靶、银靶、铂靶、碳靶、钛靶、铬靶、铜靶、镍靶中的至少一种；溅射电流为5~30mA；溅射时间为30~300s；和/或，离子束研磨仪包括聚焦型氩离子束研磨仪、双离子束研磨仪、三离子束研磨仪中的任一种；和/或，离子束研磨仪研磨电压为5~10kV；和/或，离子束研磨仪研磨电流为0.1~1mA；和/或，离子束研磨仪研磨时间为0.5~5h。 4.根据权利要求3所述的PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于所使用的靶材包括金靶、铂靶中的至少一种；和/或，溅射电流为10~20mA；和/或，溅射时间为60~180s；和/或，离子束研磨仪为三离子束研磨仪；和/或，离子束研磨仪研磨电压为8~10kV；和/或，离子束研磨仪研磨时间为2~5h。 5.根据权利要求1或2所述的PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于，机械研磨待测样品时，包括一次研磨和二次研磨；所述一次研磨使用的磨具目数为200~500目；所述二次研磨使用的磨具目数为600~1000目。 6.根据权利要求5所述的PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于，所述一次研磨使用的磨具目数为200目；和/或，所述二次研磨使用的磨具目数为800目。 7.根据权利要求1或2所述的PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于，在机械研磨待测样品前，还包括将半导体材料用包埋剂包埋得到待测样品的步骤；所述包埋剂包括环氧树脂包埋剂、OCT包埋剂、丙烯酸树脂包埋剂、石蜡包埋剂中的至少一种。 8.根据权利要求7所述的PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于，所述包埋剂包括环氧树脂包埋剂、丙烯酸树脂包埋剂中的至少一种。 9.根据权利要求1或2所述的PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于，进行测试前，使用导电胶将待测样品固定到扫描电镜的样品台上；所述导电胶包括导电碳胶带、导电铜胶带、银浆导电胶中的任一种。 10.根据权利要求9所述的PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于，所述导电胶为银浆导电胶。
所属类别：	发明专利