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新型集电区场板结构SiGe HBT器件特性与机理研究
| 论文题名： | 新型集电区场板结构SiGe HBT器件特性与机理研究 |
| 关键词： | 集电区;板结构;HBT;SiGe;器件特性 |
| 作者： | 杨腾远 |
| 专业： | 微电子学与固体电子学 |
| 导师： | 高勇;刘静 |
| 授予学位： | 硕士 |
| 授予学位单位： | 西安理工大学 |
| 学位年度： | 2018 |
| 正文语种： | 中文 |
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| 论文题名： | 新型集电区场板结构SiGe HBT器件特性与机理研究 |
| 关键词： | 集电区;板结构;HBT;SiGe;器件特性 |
| 作者： | 杨腾远 |
| 专业： | 微电子学与固体电子学 |
| 导师： | 高勇;刘静 |
| 授予学位： | 硕士 |
| 授予学位单位： | 西安理工大学 |
| 学位年度： | 2018 |
| 正文语种： | 中文 |