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原文传递 新型场板结构GaN HEMT电流崩塌效应研究
论文题名: 新型场板结构GaN HEMT电流崩塌效应研究
关键词: 板结构;HEMT;GaN;电流崩塌
作者: 王琳倩
专业: 电子科学与技术;微电子学与固体电子学
导师: 刘静
授予学位: 硕士
授予学位单位: 西安理工大学
学位年度: 2020
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