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多层平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪
| 专利名称： | 多层平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪 |
| 摘要： | 多层平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪，属于对生化物质进行现场分析检测设备。 该迁移谱仪由上基片、中间基片和下基片构成第一气体通道和第二气体通道。离子源位于第 一气体通道，分离电极由上分离电极和下分离电极组成，上分离电极和下分离电极分别位于 上基片和下基片上。在分离电场的作用下，带电样品离子进入第二气体通道，并在纯净载气 的作用下进入迁移区进行过滤分离。离子源和迁移区中的载气流速可分别通过样品载气和纯 净载气进行调节。本发明将中性分子和带电的样品离子在进入迁移区之前进行分离，避免了 迁移区中分子离子反应的发生；离子源和迁移区中的载气流速可分别调节，提高了离子源的 电离效率和迁移区的离子分离效果。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 清华大学 |
| 发明人： | 王晓浩;唐 飞;李 华 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-06-16T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910086487.9 |
| 公开号： | CN101571508 |
| 代理机构： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 邸更岩 |
| 分类号： | G01N27/62(2006.01)I |
| 申请人地址： | 100084北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |
| 主权项： | 1、一种多层平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪，其特征在于：该高场非对称波形离 子迁移谱仪包括离子源(3)、迁移区(14)、分离电极、上基片(7)、中间基片(17)、下基 片(20)和检测单元(10)；所述的上基片(7)和中间基片(17)构成第一气体通道(6)， 中间基片(17)和下基片(20)构成第二气体通道(12)；所述的迁移区位于第二气体通道(12) 内，迁移区内设有迁移区上电极(13)和迁移区下电极(11)，检测单元(10)位于迁移区的 后端；所述的离子源(3)位于第一气体通道(6)的入口处；所述分离电极由上分离电极(4) 和下分离电极(15)组成，上分离电极(4)位于上基片(7)上，紧邻离子源(3)出口；下 分离电极(15)位于下基片(20)上；所述的中间基片(17)上设有离子通道(16)，下分离 电极(15)通过离子通道(16)与上分离电极(4)对称布置。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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