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离子掺杂二氧化锡多孔薄膜型气敏器件及其制备方法
| 专利名称： | 离子掺杂二氧化锡多孔薄膜型气敏器件及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种离子掺杂二氧化锡多孔薄膜型气敏器件及其制备方 法。器件为覆于衬底和电极上的、由一层以上的呈紧密六方排列并相互连通 的球形孔状的掺杂有钯离子或铬离子的二氧化锡构成的气敏薄膜；方法为将 胶体球附于基底表面形成单层胶体晶体模板，接着，向浓度为0.05～0.2M 的四氯化锡溶液中加入二氯化钯或三氯化铬得到前驱体溶液后，先将单层胶 体晶体模板浸入前驱体溶液中，用所需形状的带有电极的衬底捞起单层胶体 晶体，并使其覆盖于衬底表面，再将其置于80～120℃下加热1～4h，重复浸 入、捞起和加热固化的步骤0次以上后，将其置于350～550℃下退火1～4h， 制得离子掺杂二氧化锡多孔薄膜型气敏器件。它可广泛地用于对混合气体进 行选择性地探测。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 安徽;34 |
| 申请人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 发明人： | 贾丽超;蔡伟平;王洪强;孙丰强;李 越 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2008-05-10T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200810108009.9 |
| 公开号： | CN101576528 |
| 分类号： | G01N27/407(2006.01)I |
| 申请人地址： | 230031安徽省合肥市1110信箱 |
| 主权项： | 1、一种离子掺杂二氧化锡多孔薄膜型气敏器件，包括覆于衬底和电极上 的、由呈紧密六方排列并相互连通的球形孔状的二氧化锡构成的气敏薄膜， 其特征在于所述球形孔的孔直径为100～5000nm，所述气敏薄膜由一层以上 的球形孔构成，其厚度为50nm～15μm，所述气敏薄膜中掺杂有钯离子或铬 离子，所述掺杂的钯离子或铬离子与二氧化锡气敏薄膜中锡离子间的摩尔比 为0.005～0.05∶1。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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