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原文传递一种多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器及其制备方法

专利名称：	一种多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器及其制备方法
摘要：	本发明公开了一种多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器及其制备方法，将F127模板剂溶于无水乙醇和去离子水的混合溶液中，加入SnCl4·5H2O和PdCl2，室温下搅拌2～4小时后静置老化，得到掺杂钯的二氧化锡溶液；将覆有铂电极的硅基片先后置入丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗，烘干待用；所得硅基片放置于匀胶机吸盘上，吸取0.5～1.5ml掺杂钯的二氧化锡溶液缓慢滴在硅基片上，开启匀胶机完成旋涂，然后取下烘干；重复本步骤3～7次，最后一次完成旋涂后在室温下干燥；得到的硅基片以1～2℃/min的升温速率升温至120℃热处理10～15小时，再以1～2℃/min升温至200℃煅烧1～3小时，然后以2～3℃/min升温至400℃热处理2～4小时，在热处理过程的最后一小时，以600～800ml/min的流量通入氧气，热处理结束后随炉冷却即得。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	南京工业大学
发明人：	殷晨波;任珺;韩忠俊;章石赟;殷明周
专利状态：	有效
申请日期：	2019-08-14T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-22T00:00:00+0800
申请号：	CN201910749311.0
公开号：	CN110487855A
代理机构：	江苏圣典律师事务所
代理人：	胡建华
分类号：	G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	210000 江苏省南京市浦口区浦珠南路30号
主权项：	1.一种多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： (1)将F127模板剂溶于无水乙醇和去离子水的混合溶液中，然后加入SnCl4·5H2O和PdCl2，室温下搅拌2～4小时后静置老化，得到掺杂钯的二氧化锡溶液； (2)将覆有铂电极的硅基片先后置入丙酮、乙醇、去离子水中分别超声清洗，然后烘干待用； (3)将步骤(2)所得硅基片放置于匀胶机吸盘上，用滴管吸取0.5～1.5ml步骤(1)掺杂钯的二氧化锡溶液缓慢滴在硅基片上，开启匀胶机完成旋涂，然后取下烘干；重复本步骤3～7次，最后一次完成旋涂后，取下硅基片在室温下干燥5～10天； (4)将步骤(3)得到的硅基片以1～2℃/min的升温速率升温至120℃热处理10～15小时，再以1～2℃/min升温至200℃煅烧1～3小时，然后以2～3℃/min升温至400℃热处理2～4小时，在热处理过程的最后一小时中，以600～800ml/min的流量通入氧气，热处理结束后随炉冷却即得。 2.根据权利要求1所述的多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述无水乙醇和去离子水的混合体积比为20～30:4；所述F127模板剂按照质量体积比0.03～0.05g/ml加入到无水乙醇和去离子水的混合溶液中。 3.根据权利要求2所述的多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述SnCl4·5H2O按照Sn与F127模板剂的摩尔比1：0.0055加入；所述PdCl2按照Pd与Sn的摩尔比0.001～0.01：1加入。 4.根据权利要求1所述的多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述匀胶机每次先以600rpm旋转6s后，再以3000rpm旋转30s完成旋涂。 5.根据权利要求1所述的多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，最后一次完成旋涂后，取下硅基片在70-80％相对湿度下干燥。 6.根据权利要求1所述的多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述氧气按照600～800ml/min的流量通入。 7.权利要求1～6中任意一种制备方法制备得到的多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器。
所属类别：	发明专利