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一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法
| 专利名称： | 一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法，属于纳米图案加工技术 领域。所述方法包括：将硅衬底表面进行处理，并在硅衬底上涂覆电子束光刻抗蚀剂；将涂 覆有电子束光刻抗蚀剂的硅衬底进行烘烤；对烘烤后的硅衬底进行单线曝光模式下的电子束 直写曝光；对电子束直写曝光后的硅衬底进行显影、定影、干燥及退火处理，并在处理后的 硅衬底表面覆盖金属薄膜，形成扫描电镜放大倍率校准标准样品。本发明避免了等离子体刻 蚀工艺带来的图形质量下降，有利于高分辨率密集线图形结构的制作，有利于电子束曝光极 限分辨率的实现。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 发明人： | 赵 珉;陈宝钦;刘 明;牛洁斌 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-07-01T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910303914.4 |
| 公开号： | CN101598645 |
| 代理机构： | 北京市德权律师事务所 |
| 代理人： | 王建国 |
| 分类号： | G01N1/28(2006.01)I |
| 申请人地址： | 100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |
| 主权项： | 1.一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤1：将硅衬底表面进行处理，并在所述硅衬底上涂覆电子束光刻抗蚀剂； 步骤2：将涂覆有所述电子束光刻抗蚀剂的所述硅衬底进行烘烤； 步骤3：对烘烤后的所述硅衬底进行单线曝光模式下的电子束直写曝光； 步骤4：对电子束直写曝光后的所述硅衬底进行显影、定影、干燥及退火处理，并在处 理后的硅衬底表面覆盖金属薄膜，形成扫描电镜放大倍率校准标准样品。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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