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原文传递碳纳米管支持体及其制造方法

专利名称：	碳纳米管支持体及其制造方法
摘要：	本发明提供一种在气氛中的残留烃极少的高真空状态下，可进行牢固的CNT固定处理，采用单层或2层等的细径CNT的CNT纳米器件及、该制作过程中必需的CNT载体等CNT支持体及其制造方法。在支持体18上形成支持部18a。使CNT15的基端部15a转移至支持部18a，向CNT15的基端部15a照射电子束17或离子束。被覆基端部15a及支持部18a的碳物质层19通过所述电子束17或离子束，变成无定形碳层及石墨层。通过该石墨层，将CNT15固定于支持体18，制成CNT支持体。该束照射在TEM内的高真空下进行。
专利类型：	发明专利
申请人：	独立行政法人科学技术振兴机构
发明人：	中山喜万;平原佳织;千贺亮典
专利状态：	有效
申请日期：	2009-02-26T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN200980106910.5
公开号：	CN101960286A
代理机构：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人：	李帆
分类号：	G01N13/10(2006.01)I
申请人地址：	日本埼玉县
主权项：	一种CNT支持体，其特征在于，在支持体的支持部固定了碳纳米管(下面称作CNT)的CNT支持体中，在所述支持部的表面形成下侧石墨层，将CNT固定部接触配置在所述下侧石墨层的表面，通过进一步使上侧石墨层被覆所述固定部，使所述CNT固定于所述支持部。
所属类别：	发明专利