专利名称: |
用于烃露点温度测量的方法和实施该方法的装置 |
摘要: |
本发明涉及测量工程领域。为了增加烃露点测量的速度、灵敏度和精度,提供一种用于烃露点温度测量的方法,包括步骤:将要研究的气体供给到具有冷凝表面的冷却单元上,光通量以一定角度被引导到冷凝表面上,从而在观测孔中提供光通量的反射;对冷却单元的冷凝表面进行冷却并记录从冷凝表面反射的光通量的值;根据记录值确定烃露点的出现;以及使用硅作为用于冷却单元的冷凝表面的材料。用于烃露点温度测量的装置包括:具有冷凝表面的冷却单元(4),冷却单元包括在壳体(1)内,壳体具有用于输入要研究的气体和使气体出去的开口(2)和(3);冷却器(5);温度传感器(6);和光源(7),光源被定位成使得来自光源的光通量在从冷却单元(4)的冷凝表面反射之后被引导到反射束的记录器(9)上的观测孔(8),并且具有冷凝表面的冷却单元(4)由具有大于液态烃的折射系数的折射系数的电介质制成。 |
专利类型: |
发明专利 |
申请人: |
亚历山大·米哈伊洛维奇·杰列维亚金 |
发明人: |
亚历山大·米哈伊洛维奇·杰列维亚金;谢尔盖·维克托维奇·谢列兹尼奥夫;亚历山大·谢尔盖耶维奇·弗明 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2009-07-15T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN200980000517.8 |
公开号: |
CN101990637A |
代理机构: |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人: |
王新华 |
分类号: |
G01N25/66(2006.01)I |
申请人地址: |
俄罗斯莫斯科 |
主权项: |
一种用于烃露点温度测量的方法,包括以下步骤:将要研究的气体供给到具有冷凝表面的冷却单元上,光通量以一定角度被引导到所述冷凝表面上,从而在观测孔内提供所述光通量的反射;对冷却单元的冷凝表面进行冷却,并且记录从所述冷凝表面反射的所述光通量的值;根据记录值确定所述烃露点的出现;以及使用硅作为用于冷却单元的冷凝表面的材料。 |
所属类别: |
发明专利 |