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基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器及制造方法
| 专利名称： | 基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器及制造方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器，包括SiC衬底层、TiO2氧气敏感层、金属铂电极I、n+高掺杂层和钛-铂金属复合层电极；SiC衬底层一侧溅射TiO2氧气敏感层，该氧气敏感层上溅射金属铂电极I，形成肖特基接触；SiC衬底层的另一侧依次设置有高掺杂n+层、钛-铂金属复合叠层，作为肖特基势垒二极管结构中的欧姆接触；本发明利用了碳化硅材料能满足传感器高温工作要求；由于金属铂电极的催化作用，TiO2氧气敏感层具有良好的氧敏特性，利用金属、半导体接触的氧传感器结构，检测氧气浓度的变化，该氧传感器具有很快的响应速度、极高的灵敏度、具有制作成本较低、制备工艺成熟、传感器重量较轻等优点。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 重庆;85 |
| 申请人： | 重庆邮电大学 |
| 发明人： | 王巍;代作海;罗元;王晓磊;白晨旭;唐政维;李银国 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-10-18T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110316787.9 |
| 公开号： | CN102507704A |
| 代理机构： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 |
| 代理人： | 赵荣之 |
| 分类号： | G01N27/419(2006.01)I |
| 申请人地址： | 400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号 |
| 主权项： | 基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器，其特征在于：包括SiC衬底层、TiO2氧气敏感层、金属铂电极I、n+高掺杂层和钛?铂金属复合层电极，所述SiC衬底层一侧溅射氧气敏感层，所述氧气敏感层上再溅射金属铂电极I，所述氧气敏感层和金属铂电极I形成肖特基势垒结构。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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