专利名称: |
一种超薄石英晶体相位延迟板的生产方法 |
摘要: |
本发明提出了一种成品率高、质量稳定的超薄石英晶体相位延迟板的生产方法,该方法依次包括原料检验、晶体外形设计、角度定向、晶片切型设计、多线切割、晶片外形加工、晶片研磨、抛光、清洗、镀膜、胶合成型、检测、包装、入库工序,关键在于抛光工序中,首先将待抛光晶片胶合在基板上,然后再进行抛光作业;清洗工序中,首先将基板与晶片分离,然后再对晶片进行清洗。将待抛光的单片石英晶体胶合在基板上增加其机械强度,然后再进行抛光,保证晶片具有极好的平行度,透射比高,抗光损伤阈值高,机械性能好,在温差范围大的使用场合中表现得特别稳定,波长范围广,允许大角度入射(约20度),可应用于高损坏域值的使用场合(>1GW/cm2)。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
江苏;32 |
申请人: |
昆山明本光电有限公司 |
发明人: |
冷志红 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2011-11-08T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201110349432.X |
公开号: |
CN102508328A |
分类号: |
G02B5/30(2006.01)I |
申请人地址: |
215000 江苏省苏州市昆山市周庄镇大桥路27号 |
主权项: |
一种超薄石英晶体相位延迟板的生产方法,依次包括原料检验、晶体外形设计、角度定向、晶片切型设计、多线切割、晶片外形加工、晶片研磨、抛光、清洗、镀膜、胶合成型、检测、包装、入库工序,其特征在于所述抛光工序中,首先将待抛光晶片胶合在基板上,然后再进行抛光作业;所述清洗工序中,首先将基板与晶片分离,然后再对晶片进行清洗。 |
所属类别: |
发明专利 |