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一种基于MEMS技术的热扩散率传感器芯片及其制备方法
| 专利名称： | 一种基于MEMS技术的热扩散率传感器芯片及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基于MEMS技术的热扩散率传感器芯片及其制备方法，传感器芯片包括沉积在SOI晶片上表面的二氧化硅隔离层、淀积在二氧化硅隔离层上表面并经刻蚀后形成的加热器以及温度传感器、以及淀积在二氧化硅隔离层上表面、加热器上表面以及温度传感器上表面的氮化硅保护层，其中，所述SOI晶片的下表面自下表面向上刻蚀有绝热腔，所述加热器位于二氧化硅隔离层上表面的中心位置，所述温度传感器均匀分布在以加热器为中心的径向上。本发明传感器芯片仅需几微升的样品液体即可在几十秒内完成测量流体导热系数的测量，并且可在很大温度范围内实现测量。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 陕西;61 |
| 申请人： | 西安交通大学 |
| 发明人： | 周睿;蒋庄德;李支康;赵玉龙;王晓坡;刘志刚 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-12-06T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110401838.8 |
| 公开号： | CN102520012A |
| 代理机构： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
| 代理人： | 徐文权 |
| 分类号： | G01N25/20(2006.01)I |
| 申请人地址： | 710049 陕西省西安市咸宁路28号 |
| 主权项： | 一种基于MEMS技术的热扩散率传感器芯片，其特征在于：包括沉积在SOI晶片上表面的二氧化硅隔离层(3)、淀积在二氧化硅隔离层上表面并经刻蚀后形成的加热器(8)以及温度传感器(4)、以及淀积在二氧化硅隔离层上表面、加热器上表面以及温度传感器上表面的氮化硅保护层(2)，其中，所述SOI晶片的下表面自下表面向上刻蚀有绝热腔(12)，所述加热器(8)位于二氧化硅隔离层上表面的中心位置，所述温度传感器均匀分布在以加热器为中心的径向上。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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