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一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法
| 专利名称： | 一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法 |
| 摘要： | 一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法，属于金属磁记忆无损检测研究领域。将金属材料本身作为研究对象，在不同应力状态下(拉伸不同阶段或者疲劳不同次数)，利用bitter粉纹法测得对应的磁畴图，利用SEM-EBSD系统测得SEM形貌和取向等晶体学信息。从而得到金属材料的晶体学信息、磁畴与应力的关系。本发明结合金属材料本身得到材料微观尺度磁信号大小和磁矩的方向以及晶体学信息，去除了材料本身以外其他因素的干扰，具有良好的可靠性，克服了上述实际应用中的误差。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京工业大学 |
| 发明人： | 张鸥;徐学东;张海;张登宇;安栋 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-10-13T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110309984.8 |
| 公开号： | CN102520058A |
| 代理机构： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
| 代理人： | 沈波 |
| 分类号： | G01N27/83(2006.01)I |
| 申请人地址： | 100124 北京市朝阳区平乐园100号 |
| 主权项： | 一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以金属材料作为研究对象，将不同拉伸或疲劳状态下的样品，通过Bitter粉纹法得到样品的磁畴图，从而得到样品表面磁信号大小和磁矩的方向，进而建立不同拉伸阶段或不同疲劳状态下样品内部应力?磁信号大小和磁矩的方向的一一对应关系；2)用配备EBSD的SEM原位测定与步骤(1)相应拉伸阶段或疲劳状态下的组织形貌、晶粒取向晶体学信息，进而建立与不同拉伸阶段或不同疲劳状态下样品相应的应力?组织形貌、晶粒取向晶体学信息的一一对应关系；3) |
| 所属类别： | 发明专利 |
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