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Lamb波免疫传感器及其器件的制作方法
| 专利名称： | Lamb波免疫传感器及其器件的制作方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可以实现免疫反应的阵列化、高通量、大样本、快速测量的Lamb波免疫传感器，其包括一上磁铁和一下磁铁，上磁铁与下磁铁之间设置有一Lamb波传感器，Lamb波传感器上方胶合有一管道压盖；Lamb波传感器包括一设置有多个样品池的硅薄膜结构，硅薄膜结构下方为一导电地层，导电地层下方为一压电材料层，压电材料层上设置由一层IDT电极层，IDT电极层包括若干插齿电极和若干焊点端口，所述的若干插齿电极上分别设置有一对电极端口，样品池内培养有标记抗体、免疫微磁珠和捕获抗体；管道压盖与所述Lamb波传感器贴合的管道表面上开置有一样品池通道，样品池通道的两端分别开设有一通孔。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 苏州生物医学工程技术研究所 |
| 发明人： | 周连群;吴一辉 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-12-02T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110394854.9 |
| 公开号： | CN102520160A |
| 代理机构： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
| 代理人： | 曹毅 |
| 分类号： | G01N33/551(2006.01)I |
| 申请人地址： | 215000 江苏省苏州市高新区科灵路88号 |
| 主权项： | ?一种Lamb波免疫传感器，其特征在于：包括一上磁铁（1）和一下磁铁（11），所述上磁铁（1）与下磁铁（11）之间设置有一Lamb波传感器（12），所述Lamb波传感器（12）上方胶合有一管道压盖（2）；所述Lamb波传感器（12）包括一设置有多个样品池（701）的硅薄膜结构（7），所述硅薄膜结构（7）下方为一导电地层（8），所述导电地层（8）下方为一压电材料层（9），所述压电材料层（9）上设置由一层IDT电极层，所述IDT电极层包括若干插齿电极（10）和若干焊点端口（13），所述的若干插齿电极（10）上 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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